80v70a场效应管,3508mos管,to252,KND3508B参数-KIA MOS管
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逆变器mos,80v60a场效应管参数
KND3508B场效应管漏源电压80V，漏极电流70A，导通电阻RDS(开启) 8.7mΩ，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，高效低耗；高击穿电压和电流，稳定可靠；100% 雪崩测试,可靠且坚固耐用，无铅环保设备（符合RoHS标准），品质优越；广泛用于开关模式电源、锂电池保护板以及逆变器中；封装形式：TO-252，体积小、散热良好。
详细参数：
漏源电压：80V
漏极电流：70A
导通电阻：8.7mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：300A
单脉冲雪崩能量：260MJ
阈值电压：3V
总栅极电荷：90nC
输入电容：3260PF
输出电容：205PF
反向传输电容：143PF
开通延迟时间：15nS
关断延迟时间：46nS
上升时间：18ns
下降时间：24ns
逆变器mos,80v60a场效应管引脚图
逆变器mos,80v60a场效应管规格书
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