KIA12N60H产品描述

KIA12n60hN沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高电压，高速功率开关应用，如高效率开关电源，基于半桥拓扑结构的有源功率因数校正电子镇流器。

2、特征

RDS（ON）= 0.53?@ V GS = 10 V

低栅极电荷（典型的52nc）

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt／dt能力

3、产品参数

漏极至源极电压（VDSS）：600

栅源电压（VGSS）：±30

漏极电流（连续）（lD）：Tc=25℃ 12A Tc=100℃ 7.4A

耗散功率（PD）：231

工作温度：±150

击穿电压温度：0.7

输入电容：VGS =0V,VDS=25V,f=1.0MHz

上升时间：VDD=300V，ID=12A，RG=25Ω

4、KIA12N60H产品规格

	KIA12N50（12A 60V）
产品编号	KIA12N60/F/HF/HP
产品工艺	kia12n60hN沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高电压，高速功率开关应用，如高效率开关电源，基于半桥拓扑结构的有源功率因数校正电子镇流器。
产品特征	RDS（ON）= 0.53?@ V GS = 10 V 低栅极电荷（典型的52nc）快速切换的能力雪崩能量改进的dt／dt能力
适用范围	高电压，高速功率开关应用，如高效率开关电源，基于半桥拓扑结构的有源功率因数校正电子镇流器
封装形式	TO-220、Yo-220F
PDF文件	【直接在线预览】
LOGO
厂家	KIA 原厂家
网址	www.kiaic.com
PDF总页数	总7页