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12N60现货供应商 KIA12N60 PDF 12N60参数详细资料-KIA 官网

信息来源:本站 日期:2018-01-18 

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KIA12N60H产品描述

KIA12n60hN沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高电压,高速功率开关应用,如高效率开关电源,基于半桥拓扑结构的有源功率因数校正电子镇流器。


2、特征

RDS(ON)= 0.53?@ V GS = 10 V

低栅极电荷(典型的52nc)

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt/dt能力


3、产品参数

漏极至源极电压(VDSS):600

栅源电压(VGSS):±30

漏极电流 (连续)(lD):Tc=25℃ 12A  Tc=100℃ 7.4A

耗散功率(PD):231

工作温度:±150

击穿电压温度:0.7

输入电容:VGS =0V,VDS=25V,f=1.0MHz

上升时间:VDD=300V,ID=12A,RG=25Ω


4、KIA12N60H产品规格


KIA12N50(12A 60V)
产品编号

KIA12N60/F/HF/HP

产品工艺 kia12n60hN沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高电压,高速功率开关应用,如高效率开关电源,基于半桥拓扑结构的有源功率因数校正电子镇流器。
产品特征

RDS(ON)= 0.53?@ V GS = 10 V

低栅极电荷(典型的52nc)

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt/dt能力

适用范围 高电压,高速功率开关应用,如高效率开关电源,基于半桥拓扑结构的有源功率因数校正电子镇流器
封装形式 TO-220、Yo-220F
PDF文件 【直接在线预览】
LOGO
厂家 KIA 原厂家
网址 www.kiaic.com
PDF总页数 总7页


联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


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