充电器mos管,1500v场效应管,1500v9a,KNM48150A参数-KIA MOS管
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1500v场效应管,KNM48150A参数
KNM48150A场效应管漏源击穿电压1500V，漏极电流9A，采用先进的沟槽技术制造，低导通电阻RDS(开启) 2.8Ω，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有低反向传输电容，开关速度快，快速恢复体二极管，在适配器、充电器、SMPS备用电源等应用中高效稳定可靠；封装形式：TO-247，散热良好。
详细参数：
漏源电压：1500V
漏极电流：9A
导通电阻：2.8Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：36A
雪崩能量单脉冲：450MJ
总功耗：320W
阈值电压：2.5-4.5V
总栅极电荷：68nC
输入电容：3385PF
输出电容：176PF
反向传输电容：54.6PF
开通延迟时间：65nS
关断延迟时间：82nS
上升时间：186ns
下降时间：114ns
1500v场效应管,KNM48150A引脚图
1500v场效应管,KNM48150A规格书
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