充电防倒灌电路,防倒灌电路图分享-KIA MOS管
充电防倒灌电路
充电防倒灌电路是防止电流从负载（如电池）反向流回充电器或电源，以避免损坏充电器内部的精密电路。这种反向电流被称为“倒灌”或“回流”，在电源断电、电压切换或负载具有储能元件（如电容、电感）时极易发生。
双MOS管背靠背架构是目前在电池充放电、电源自动切换等系统中广泛采用的标准方案，适用于高效率、大电流场景。
正常供电时：两个PMOS管的栅极被拉低，两个管子同时导通，电流从输入端流向输出端，内阻极小，能量损耗低。
防止倒灌时：当输出端电压高于输入端（如电池电压倒灌），电流试图通过MOS管内部的体二极管反向流动。由于两个MOS管的体二极管是反向串联的，即使第一个二极管导通，也会被第二个二极管完全阻断，从而彻底切断反向通路，保护前级电路。
双MOS防倒灌电路图
使用两个MOS管（一个PMOS和一个NMOS）构建，PMOS的源极接高电平，漏极接NMOS的漏极，NMOS的源极接地。当电源正向供电时，PMOS导通，NMOS截止；反向时，PMOS截止，NMOS导通，形成保护。这种电路结构简单，可靠性高，适用于多种电压等级的电源系统中。在设计时，要注意MOS管的耐压和电流承载能力，确保电路的稳定性和安全性。
5V防倒灌电路图
保证在充电器给电池充电时，可以正常充电；在充电器拔下，只剩电池时，电池电压不会在直接到电池充电口，起到防倒灌作用。
采用双PNP三极管和PMOS管构成，还有采样电阻和电流检测芯片。
充电器充电时：三极管Q26.1和三极管Q26.2栅极是连接GND所以是低电平，两个三极管导通。三极管Q26.1导通后，充电器电压等于三极管Q26.1上电压和R1电压，两者分压，导致三极管Q26.1的C端电压很高，而且三极管Q26.1的C端和三极管Q26.1和三极管26.2的B端相连，导致两个三极管都关闭。此时PMOS管的G端电压为低，PMOS管导通，充电器开始充电。
充电器拔下时：三极管Q26.1和三极管Q26.2栅极是连接GND所以是低电平，两个三极管导通。三极管Q26.2导通后，电池电压等于三极管Q26.2上电压和R1电压，两者分压，导致三极管Q26.2的e端电压很高，此时PMOS管的G端电压为高，PMOS管一直处于关闭状态。防止电池电压到充电口。
USB防倒灌电路图
在使用USB单独供电时，上电瞬间U1的2脚及三极管的基极是低电平，此时U1的左侧的三极管导通，导通后2、5、6脚为高电平，右侧的三极管的基极为高电平三极管截至，3脚保持低电平，进而Q1管子导通，5V_IN近似为USB端口的电压。
在使用5V_IN供电时，上电瞬间U1右侧的三极管导通，此时3脚为高电平，Q1呈截至状态，进而防止5V_IN输入到5V_USB。
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
免责声明：网站部分图文来源其它出处，如有侵权请联系删除。
