13n50场效应管,500v13a,KIA13N50HF参数引脚图-KIA MOS管
13n50场效应管,500v13a参数
KIA13N50HF场效应管漏源电压500V，漏极电流13A，低导通电阻RDS(开启) 0.4Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷（典型值45nC），降低开关损耗，性能高效；具有快速切换能力、指定雪崩能量、改进的dv/dt能力，稳定可靠；适用于逆变器后级电路，以及电子镇流器、DC-AC电源转换器、DC-DC电源转换器、高压H桥PMW马达驱动；封装形式：TO-220F。
详细参数：
漏源电压：500V
漏极电流：13A
导通电阻：0.4Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：52A
单脉冲雪崩能量：860MJ
功率耗散：48W
总栅极电荷：44nC
输入电容：1600PF
输出电容：200PF
反向传输电容：20PF
开通延迟时间：25nS
关断延迟时间：130nS
上升时间：100ns
下降时间：100ns
13n50场效应管,500v13a引脚图
13n50场效应管,500v13a规格书
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
免责声明：网站部分图文来源其它出处，如有侵权请联系删除。
