35P10,-100v-35a,p沟道,KIA35P10BD场效应管现货-KIA MOS管
35P10,-100v-35a,p沟道,KIA35P10BD场效应管现货-KIA MOS管
30v90a mos,3303场效应管参数
原厂优质P沟道MOS管KIA35P10BD漏源击穿电压-100V，漏极电流-35A，采用先进的沟槽技术生产，极低导通电阻RDS(导通) 45mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损耗，提供卓越的开关性能；具有低交叉干扰、快速开关，在应用中高效稳定；100%经雪崩测试、dv/dt响应能力提升，可靠且坚固耐用，符合RoHS标准，环保无铅；适用于PWM应用、负载开关、电源管理等；封装形式：TO-252，散热出色。
详细参数：
漏源电压：-100V
漏极电流：-35A
导通电阻：45mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：-120A
单脉冲雪崩能量：272MJ
功率耗散：125W
阈值电压：-2V
总栅极电荷：87nC
输入电容：4650PF
输出电容：135PF
反向传输电容：110PF
开通延迟时间：16nS
关断延迟时间：35nS
上升时间：48ns
下降时间：18ns
30v90a mos,3303场效应管引脚图
30v90a mos,3303场效应管规格书
联系方式：邹先生
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