nce01p18,nce01p18k参数代换,KIA35P10AD现货特价-KIA MOS管
nce01p18,nce01p18k参数
漏源电压（Vdss）：100V。
连续漏极电流（Id）：18A（25℃时）。
导通电阻（Rds(on))：100mΩ（典型值@Vgs=10V,Id=16A）。
功率耗散（Pd)：70W（Ta=25C）。
栅源阈值电压（Vgs（th)）：3V（@250uA）。
封装形式：采用TO-252贴片封装，适合表面贴装工艺。适用于开关电源、DC-DC变换器、电动驱动及工业控制系统。
nce01p18,nce01p18k参数代换
原厂特价现货KIA35P10AD可以代换nce01p18场效应管应用，漏源击穿电压-100V，漏极电流-35A，采用KIA先进的沟槽技术制造，优秀的QgxRDS(on)产品(FOM)，提供卓越的开关性能；低导通电阻RDS(开启) 32mΩ，最大限度地减少导电损耗，减少导通损耗，低栅极电荷，高效低耗；符合JEDEC标准，稳定可靠；广泛应用于电机控制和驱动、电池管理、UPS不间断电源等；封装形式：TO-252，体积小，散热出色。
详细参数：
漏源极电压：-100V
漏极电流：-35A
导通电阻：32mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：-135A
雪崩能量单脉冲：95MJ
最大功耗：94W
栅极阈值电压：-2V
总栅极电荷：95nC
输入电容：5700PF
输出电容：170PF
反向传输电容：82PF
开通延迟时间：14nS
关断延迟时间：85nS
上升时间：40ns
下降时间：75ns
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nce01p18,nce01p18k参数代换规格书
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