nce3050k参数代换,50n03场效应管,KIA50N03BD批发-KIA MOS管
nce3050k参数代换,50n03参数
漏源电压（Vdss）：30V
连续漏极电流（ld，25C时）：50A
栅源阈值电压（Vgs(th))：3V@250μA
漏源导通电阻（Rds(on)）：11 mΩ@25A,10V
最大功率耗散（Ta=25°℃）：60W
封装类型：采用TO-252封装，广泛用于开关电源、电机驱动、汽车电子等应用。
nce3050k参数代换,50n03参数
原厂优质现货KIA50N03BD可代换nce3050k场效应管应用，漏源击穿电压30V，漏极电流50A，采用先进的沟槽工艺技术制造，高密度电池设计，超低导通电阻RDS(开启) 6.5mΩ，最大限度地减少导电损耗；完全表征雪崩电压和电流、低栅电荷、低反馈电容、开关速度快以及改进的dv/dt能力，高效稳定可靠，在开关电源、电池管理、逆变器、驱动电机中应用表现出色，封装形式：TO-252。
详细参数：
漏源电压：30V
漏极电流：50A
导通电阻：6.5mΩ
栅源电压：±20V
阈值电压：1.6V
脉冲漏电流：200A
单脉冲雪崩能量：85MJ
功率耗散：60W
阈值电压：1.6v
总栅极电荷：25nC
输入电容：1200PF
输出电容：150PF
反向传输电容：115PF
开通延迟时间：4.6nS
关断延迟时间：40nS
上升时间：35ns
下降时间：16ns
nce3050k参数代换,50n03引脚图
nce3050k参数代换,50n03规格书
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