nce3050k参数,30v50a场效应管,KIA50N03CD现货批发-KIA MOS管
nce3050k参数
漏源电压（Vdss）：30V
连续漏极电流（ld，25C时）：50A
栅源阈值电压（Vgs(th))：3V@250μA
漏源导通电阻（Rds(on)）：11 mΩ@25A,10V
最大功率耗散（Ta=25°℃）：60W
封装类型：采用TO-252封装，广泛用于开关电源、电机驱动、汽车电子等应用。
nce3050k参数,30v50a场效应管代换
优质原厂特价现货KIA50N03CD场效应管可代换nce3050k使用，50n03漏源击穿电压30V，漏极电流50A，极低导通电阻RDS(开启) 6.5mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有高输入阻抗、低功耗、低交叉电流、快速开关特性以及100%经雪崩测试、提升dv/dt性能，性能高效稳定可靠；广泛应用于PWM应用、电源管理、负载开关等；封装形式：TO-252，散热良好。
详细参数：
漏源电压：30V
漏极电流：50A
导通电阻：6.5mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：120A
单脉冲雪崩能量：121MJ
功率耗散：36W
阈值电压：1.6V
总栅极电荷：21nC
输入电容：1271PF
输出电容：130PF
反向传输电容：112PF
开通延迟时间：13nS
关断延迟时间：27nS
上升时间：19ns
下降时间：20ns
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