15n10,15n10参数,100v15a,KND6610A场效应管现货-KIA MOS管
15n10,15n10参数,100v15a,KND6610A场效应管现货-KIA MOS管
15n10,15n10参数
15n10主流规格参数为漏源电压100V、连续漏极电流15A，广泛应用于电源管理及开关电路中。
漏源电压（Vdss）：主流规格为100V，部分型号可能为60V，选型时需确认。
连续漏极电流（Id）：在25℃环境下通常为14.6A至15A。
漏源导通电阻（RDS（on)）：典型值在90mΩ至110mΩ之间（Vgs=10V)。
最大功率耗散（Pd）：根据封装和散热条件不同，范围约为30W至60W。
栅源极阈值电压（Vgs(th))：一般在2.5V至3V@250uA。
工作温度：标准工业级范围通常为-55℃至+150℃。
常见封装类型：TO-252（DPAK），贴片封装形式，适用于表面贴装技术。
15n10代换,KND6610A参数
原厂优质现货KND6610A场效应管可代换15n10使用，参数兼容、性价比高，KND6610A漏源击穿电压100V，漏极电流15A，采用先进的平面沟槽技术，极低导通电阻RDS(开启) 83mΩ，可最大限度地减少导电损失，提供卓越的开关性能；具有低crss、快速切换、并能够承受雪崩和换向模式的高能脉冲、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，高效稳定可靠；适用于PWM应用、电源管理、负载开关等；封装形式：TO-252。
详细参数：
漏源电压：100V
漏极电流：15A
导通电阻：83mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：60A
单脉冲雪崩能量：3.5MJ
功率耗散：55W
阈值电压：1.7V
总栅极电荷：19.2nC
输入电容：1073PF
输出电容：57PF
反向传输电容：31PF
开通延迟时间：12.6nS
关断延迟时间：32.5nS
上升时间：6ns
下降时间：4.3ns
15n10代换,KND6610A引脚图
15n10代换,KND6610A规格书
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