源极（S）：在符号中始终表现为两条导线的交叉点，负责为导电沟道提供载流子（...源极（S）：在符号中始终表现为两条导线的交叉点，负责为导电沟道提供载流子（电子或空穴），是电流的输入或输出端。 漏极（D）：在符号中为单独引线的一侧，作为...
ao3400场效应管代换型号KIA3400漏极电流4.8A，漏源击穿电压30V，采用先进的沟槽...ao3400场效应管代换型号KIA3400漏极电流4.8A，漏源击穿电压30V，采用先进的沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启)、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作，减少开关...
KNH2906B场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启) 4.6m...KNH2906B场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启) 4.6mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；采用KIA半导体尖端技术制造，具有快速开关...
电源从左侧正常输入时： 当VCC有效时，PMOS的体二极管率先导通，随后S极的电压...电源从左侧正常输入时： 当VCC有效时，PMOS的体二极管率先导通，随后S极的电压由先前的0V变成了（VCC-0.7），此时Vgs = 0 -（VCC-0.7）= -VCC+0.7。
SOT-89是表面贴装晶体管封装形式之一，主要用于中功率场景。 SOT-89封装尺寸规...SOT-89是表面贴装晶体管封装形式之一，主要用于中功率场景。 SOT-89封装尺寸规范： 主体尺寸4.5mm（长）×2.45mm（宽）×1.55mm（高） 引脚布局：3/5引脚配置，...
KNF7150A场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流20A，采用专有平面技术制造，极...KNF7150A场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流20A，采用专有平面技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 0.24Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，有效降低开关损...
