KCC1808A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流240A，采用采用先进SGT技术制造，极...KCC1808A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流240A，采用采用先进SGT技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 1.7mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有优异栅极电荷...
在电网正半周，高频开关管S2导通，S1关断，输入电流通过S2和低频二极管D2对电感...在电网正半周，高频开关管S2导通，S1关断，输入电流通过S2和低频二极管D2对电感储能；S2关断后，电感电流通过S1的体二极管续流，实现能量向输出传递。在负半周，功...
取样电压Uin加在比较器A的同相输入端，与加在反相输入端的基准电压Uref（Uout*...取样电压Uin加在比较器A的同相输入端，与加在反相输入端的基准电压Uref（Uout*R2/（R1+R2））相比较，两者的差值经放大器A放大后.Uout=(U+-U-)*A注A为比较放大器的...
KIA5610BU场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流5.4A，采用先进高单元密度沟槽技...KIA5610BU场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流5.4A，采用先进高单元密度沟槽技术制造，导通电阻RDS(开启) 310mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有超高...
1.输入阶段：输入信号首先经过输入阶段，该阶段可能包括耦合电容、偏置电路等元...1.输入阶段：输入信号首先经过输入阶段，该阶段可能包括耦合电容、偏置电路等元件，用于将输入信号传递给放大器的放大元件。 2.放大阶段：在放大阶段，输入信号被...
当金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的沟道长度（L）缩减至与耗尽区宽度...当金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的沟道长度（L）缩减至与耗尽区宽度相近时，器件的电学特性，诸如阈值电压VT、亚阈值摆幅SS以及漏电流leakage current等...
