FET（场效应晶体管）主要分为结型场效应管（JFET）、金属氧化物半导体场效应管...FET（场效应晶体管）主要分为结型场效应管（JFET）、金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）和金属-半导体场效应管（MESFET）、调制掺杂场效应管（MODFET）等。
MOS管在开关电路中扮演着重要的角色。其优异的电性能使得它能够高效地控制电路...MOS管在开关电路中扮演着重要的角色。其优异的电性能使得它能够高效地控制电路的通断，实现精确的开关功能。
KCB2904A场效应管漏源击穿电压45V，漏极电流130A，采用先进的SGT技术，极低导通...KCB2904A场效应管漏源击穿电压45V，漏极电流130A，采用先进的SGT技术，极低导通电阻RDS（ON）2mΩ（典型值），最大限度地降低导通电阻，减少开关损耗；具有低功率...
直流电机驱动器是通过调节直流电机的输入电流，从而控制电机的转速和转矩；主要...直流电机驱动器是通过调节直流电机的输入电流，从而控制电机的转速和转矩；主要由电源、控制器、驱动器和电机组成，控制器根据输入信号发出控制指令，驱动器根据指...
开关导通时，能量从输入直流电源（通过开关）传输给电感，没有能量传输给输出端...开关导通时，能量从输入直流电源（通过开关）传输给电感，没有能量传输给输出端。 开关关断时，电感储能（通过二极管）传输到输出端，没有直接来自输入直流电源的...
漏源电压（Vds）：60V（最大值） 连续漏极电流（Id）：115mA（典型值） 栅源...漏源电压（Vds）：60V（最大值） 连续漏极电流（Id）：115mA（典型值） 栅源阈值电压（Vgs th）：1V至2.5V（测试条件250pA）
