KPD3606A P沟道场效应管漏源击穿电压-60V，漏极电流-60A，采用先进的高单元密度...KPD3606A P沟道场效应管漏源击穿电压-60V，漏极电流-60A，采用先进的高单元密度沟槽制造，极低导通电阻RDS（ON）11.6mΩ（典型值），最大限度地降低导通电阻，超低...
半导体分立器件是由半导体材料制成的独立电子元件，具有单一或特定功能，包括晶...半导体分立器件是由半导体材料制成的独立电子元件，具有单一或特定功能，包括晶体二极管、三极管及场效应管、晶闸管等类别，其导电性能介于导体与绝缘体之间；主要...
按照芯片功能的不同： 分立器件可以分为二极管、三极管、IGBT、MOSFET、晶闸管...按照芯片功能的不同： 分立器件可以分为二极管、三极管、IGBT、MOSFET、晶闸管等。 按照功率、电流的不同： 分立器件可分为小信号器件和功率分立器件两大类：小...
KNK74120A场效应管漏源击穿电压1200V，漏极电流23A，采用先进平面工艺制造，极...KNK74120A场效应管漏源击穿电压1200V，漏极电流23A，采用先进平面工艺制造，极低导通电阻RDS（ON）480mΩ（典型值），最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷减少开关...
MOS管在功率放大电路中具有高频响应快、导通损耗低和驱动效率高等核心优势；广...MOS管在功率放大电路中具有高频响应快、导通损耗低和驱动效率高等核心优势；广泛应用于专业音响系统、舞台设备、汽车电子和射频功率放大等领域。 1.高效率与大功...
当漏源短接时测得的栅极到源极之间的总电容，它等于栅源电容Cgs加上栅漏电容Cg...当漏源短接时测得的栅极到源极之间的总电容，它等于栅源电容Cgs加上栅漏电容Cgd。这个参数对于驱动电路的设计至关重要，因为它决定了驱动器需要提供的最大充电电流...
