N沟道增强型MOSFET：当VGS超过阈值电压（VTH）时，ID开始增加，曲线呈上升趋势...N沟道增强型MOSFET：当VGS超过阈值电压（VTH）时，ID开始增加，曲线呈上升趋势。 P沟道增强型MOSFET：当VGS低于负阈值电压（-VTH）时，ID开始增加，曲线呈下降趋...
输出特性曲线：N沟道增强型MOS管的输出特性曲线如图1a所示。与结型场效应管一样...输出特性曲线：N沟道增强型MOS管的输出特性曲线如图1a所示。与结型场效应管一样，其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分。 转移特性曲...
KLF60R170B漏源击穿电压600V，漏极电流22A，n沟道多外延Super-JMOSFET结合了高...KLF60R170B漏源击穿电压600V，漏极电流22A，n沟道多外延Super-JMOSFET结合了高压耐压与低导通电阻的特性，低导通电阻RDS(on) 150mΩ，超低栅极电荷30.2nc，最大...
电机要实现正反转控制，将其电源的相序中任意两相对调即可（换相），通常是V相...电机要实现正反转控制，将其电源的相序中任意两相对调即可（换相），通常是V相不变，将U相与W相对调节器，为了保证两个接触器动作时能够可靠调换电动机的相序，接...
在正转控制中，当电源开关Q闭合，并按下正转按钮SB2时，接触器KM1的线圈会通电...在正转控制中，当电源开关Q闭合，并按下正转按钮SB2时，接触器KM1的线圈会通电并吸合。其主触点会闭合，同时常开辅助触点也会闭合并自锁。 在反转控制中，按下反...
KNM6390A场效应管漏源击穿电压900V，漏极电流12A，采用高级平面工艺制造，低...KNM6390A场效应管漏源击穿电压900V，漏极电流12A，采用高级平面工艺制造，低导通电阻RDS（ON）0.75Ω，最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷最小化开关损耗，提高...
