KNY3404C场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流80A；采用先进的高单元密度沟槽技术...KNY3404C场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流80A；采用先进的高单元密度沟槽技术制造，极低的导通电阻RDS(开启) 5.0mΩ，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，高效...
Q1，Q3为NPN型三极管，Q2，Q4为PNP型三极管，D1～D4为保护二极管，二路PWM控制...Q1，Q3为NPN型三极管，Q2，Q4为PNP型三极管，D1～D4为保护二极管，二路PWM控制信号A，B为高电平或低电平，即A为高电平，B为低电平时，Q1、Q4导通，Q2、Q3关断，此...
表面贴装式封装是将MOSFET的管脚及散热法兰直接焊接在PCB板表面的焊盘上。这种...表面贴装式封装是将MOSFET的管脚及散热法兰直接焊接在PCB板表面的焊盘上。这种封装方式具有安装密度高、重量轻、不易受损等优点。常见的表面贴装式封装类型包括晶...
KNP2803A场效应管漏源电压30V，漏极电流150A，采用先进的沟槽加工技术，实现极...KNP2803A场效应管漏源电压30V，漏极电流150A，采用先进的沟槽加工技术，实现极低的导通电阻RDS(开启) 2.2mΩ，最大限度地减少导通损耗，低栅极电荷，快速切换，...
单相全桥逆变电路由四个功率开关管（IGBT/MOSFET）组成H型桥式拓扑，每个开关管...单相全桥逆变电路由四个功率开关管（IGBT/MOSFET）组成H型桥式拓扑，每个开关管并联续流二极管。通过交替导通对角线开关管实现直流-交流转换：正半周Q1、Q4导通，...
同步电机和异步电机是交流电动机的两大类型，核心区别在于转子转速是否与定子旋...同步电机和异步电机是交流电动机的两大类型，核心区别在于转子转速是否与定子旋转磁场的同步转速一致：同步电机的转子转速严格等于同步转速，而异步电机的转子转速...
