假定设计电路中的功率MOSFET的总计算功耗为10W。该器件的最高结温为150℃。考虑...假定设计电路中的功率MOSFET的总计算功耗为10W。该器件的最高结温为150℃。考虑到结到外壳还存在温差，那么MOSFET的实际外壳温度必须保持在等于或低于100°C才能可...
与传统平面MOSFET技术相比，超级结MOSFET可显著降低导通电阻和寄生电容。导通电...与传统平面MOSFET技术相比，超级结MOSFET可显著降低导通电阻和寄生电容。导通电阻的显著降低和寄生电容的降低虽然有助于提高效率，但也产生电压（dv/dt）和电流（...
开关电源、电机驱动以及一些电力电子变换器通常会使用功率器件，在设计过程中要...开关电源、电机驱动以及一些电力电子变换器通常会使用功率器件，在设计过程中要测量功率MOSFET或IGBT结温，保证其在合理安全的工作范围，因为功率器件结温与其安全...
比较平面结构和沟槽结构的功率MOSFET，可以发现，超结型结构实际是综合了平面型...比较平面结构和沟槽结构的功率MOSFET，可以发现，超结型结构实际是综合了平面型和沟槽型结构两者的特点，是在平面型结构中开一个低阻抗电流通路的沟槽，因此具有平...
如下图所示，平面结构是平面性地构成晶体管。这种结构当耐压提高时，漂移层会增...如下图所示，平面结构是平面性地构成晶体管。这种结构当耐压提高时，漂移层会增厚，存在导通电阻增加的课题。而超级结结构是排列多个垂直PN结的结构，可保持耐压的...
当输入电压Ui升高或负载变轻，引起输出电压Uo升高后，该电压通过R2、RP、R3分压...当输入电压Ui升高或负载变轻，引起输出电压Uo升高后，该电压通过R2、RP、R3分压产生的取样电压升高，该电压加到VT2的基极，由于VT2的发射极电位不变，所以VT2导通...
