监控系统的充电模块常采用MOS管实现电流控制，通过调节栅极电压控制导通状态，...监控系统的充电模块常采用MOS管实现电流控制，通过调节栅极电压控制导通状态，实现快速充放电管理。 在数据采集系统中，MOS管常用于双向电平转换电路，例如将3.3...
78l05三端稳压器具有输出电流高达100mA，无需外部部件、热过载关机保护、短路电...78l05三端稳压器具有输出电流高达100mA，无需外部部件、热过载关机保护、短路电流限制等特性。KIA78L05是单片固定电压调节器集成电路，适用于需要高达100mA供电的...
KCT1704A场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流260A ，采用先进的SGT技术、专有...KCT1704A场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流260A ，采用先进的SGT技术、专有高密度沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 1.1mΩ，低栅极电荷减少开关损耗，提高...
电压转电流电路（V/转换电路）通过负反馈机制将电压信号转换为电流信号，原理基...电压转电流电路（V/转换电路）通过负反馈机制将电压信号转换为电流信号，原理基于欧姆定律，通过调节电路参数实现电压与电流的线性转换。 采用深度负反馈放大电路...
肖特基势垒二极管（SBD），属于金属-半导体结电子器件，由金属层（金/钼/镍/钛...肖特基势垒二极管（SBD），属于金属-半导体结电子器件，由金属层（金/钼/镍/钛等）与N型半导体（硅/砷化镓）形成肖特基势垒接触。
KCX050N08N场效应管漏源击穿电压85V，漏极电流120A ，采用先进的MOS技术制造，...KCX050N08N场效应管漏源击穿电压85V，漏极电流120A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 4.6mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），减少开关损耗，提高...
