反向传输电容Crss=Cgd，米勒电容主导开关期间VDS变化阶段（米勒平台），延长开...反向传输电容Crss=Cgd，米勒电容主导开关期间VDS变化阶段（米勒平台），延长开关时间并增加损耗；
pmos是低电压开启的，其导通条件是栅极电压（Vgs）低于阈值电压（通常为负值）...pmos是低电压开启的，其导通条件是栅极电压（Vgs）低于阈值电压（通常为负值），即栅极相对于源极为负电压时导通。 pmos管的开通电压为负值，通常在-5V至-10V范围...
KNY2404A场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流190A，采用专有新型沟槽工艺制造，...KNY2404A场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流190A，采用专有新型沟槽工艺制造，极低导通电阻RDS(开启) 2.2mΩ，最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷减少开关损耗，...
变频电源是由整个电路构成交流一直流一交流一滤波的变频装置。变频器通过整流...变频电源是由整个电路构成交流一直流一交流一滤波的变频装置。变频器通过整流、中间直流环节和逆变等过程，将输入的交流电转换为频率和电压可调的交流电，从而实...
变频器的逆变原理是通过脉宽调制（PWM）技术控制开关器件通断时序，将直流电转...变频器的逆变原理是通过脉宽调制（PWM）技术控制开关器件通断时序，将直流电转换为频率和电压可调的交流电。
KCY2408A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流190A，采用SGT-MOSFET技术，专有新...KCY2408A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流190A，采用SGT-MOSFET技术，专有新型沟槽工艺制造，极低导通电阻RDS(开启) 2mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损...
