下图所示为10MHz低通滤波器，此低通滤波器利用带宽高达100MHz的高速电流反馈集...下图所示为10MHz低通滤波器，此低通滤波器利用带宽高达100MHz的高速电流反馈集成运放0PA603组成二阶巴特沃思低通滤波器滩图中R1=R2=159Ω ，C1=C2=100pF，其截止频...
在CMOS晶片中，由于寄生的NPN和PNP三极管相互导通，使得在电源VDD和地VSS之间产...在CMOS晶片中，由于寄生的NPN和PNP三极管相互导通，使得在电源VDD和地VSS之间产生低阻抗通路，从而引发大电流通过，对芯片造成永久性损坏的风险。这种效应通常是由...
kia2906ah场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(on)=5.5mΩ...kia2906ah场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(on)=5.5mΩ，低栅极电荷能够最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗以及高雪崩耐量，高效稳定...
线圈可以储存能量的(线圈会阻止电流的突变，也就是电磁感应作用，即电流只能慢...线圈可以储存能量的(线圈会阻止电流的突变，也就是电磁感应作用，即电流只能慢慢增大和减少)，如果一下使线圈断电，两端就会产生很大的电压，这样就可能使线圈损坏...
在栅极和源极之间施加一个电压源VGG，这个电压使得栅极带正电荷，而P型衬底带负...在栅极和源极之间施加一个电压源VGG，这个电压使得栅极带正电荷，而P型衬底带负电荷，从而在栅极和P型衬底之间形成电场。这个电场会排斥P型区中的多数载流子（空穴...
KIA2803AB场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，采用先进的沟槽工艺设计，极...KIA2803AB场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，采用先进的沟槽工艺设计，极低导通电阻RDS(on)=2.2mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；...
