此功率MOSFET是使用KIA的先进平面条纹DMOS技术生产的。这先进的技术已经专门针...此功率MOSFET是使用KIA的先进平面条纹DMOS技术生产的。这先进的技术已经专门针对最小化通态电阻,提供了优越的开关性能好,在雪崩和整流模式下能承受高能量脉冲。...
KIA半导体是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业,竭诚...KIA半导体是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业,竭诚服务全球开关电源、绿色照明、电机驱动、汽车电子、新能源充电桩、太阳能设备、数码...
KIA3302A采用先进的沟道技术,以提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和栅电压低至...KIA3302A采用先进的沟道技术,以提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和栅电压低至2.5V。该器件适用于各种应用场合。
三极管直流电压放大器检测方法 在驱动控制电路中,继电器驱动电路、直流电动机...三极管直流电压放大器检测方法 在驱动控制电路中,继电器驱动电路、直流电动机驱动电路都是直流电压放大电路。下图为三极管直流电压放大器电路。
万用表直流电压挡测量三极管集电极直流电压方法示意图。测量三极管的集电极直流...万用表直流电压挡测量三极管集电极直流电压方法示意图。测量三极管的集电极直流电压是故障检修中经常釆用的检测手段。选择直流电压挡的适当量程,给电路通电,黑表...
MOS管小尺寸下的效应分析 MOS管在小尺寸下的效应,主要是小尺寸下的高电场(包...MOS管小尺寸下的效应分析 MOS管在小尺寸下的效应,主要是小尺寸下的高电场(包括垂直和水平电场)引起的问题,包括迁移率退化,热载流子以及 DIBL 等问题。