栅极电荷损耗是由该例中外置MOSFET的Qg(栅极电荷总量)引起的损耗。当MOSFET开...栅极电荷损耗是由该例中外置MOSFET的Qg(栅极电荷总量)引起的损耗。当MOSFET开关时,电源IC的栅极驱动器向MOSFET的寄生电容充电(向栅极注入电荷)而产生这种损耗...
KND3404C是一种高密度沟槽N-ch MOSFET,为大多数同步BUCK变换器的应用提供了优...KND3404C是一种高密度沟槽N-ch MOSFET,为大多数同步BUCK变换器的应用提供了优良的Rdson和栅电荷。KND3404C满足RoHS和绿色产品要求, 100%的EAS保证了全部功能的可...
电平转换在电路设计中非常常见,因为做电路设计很多时候就像在搭积木,这个电路...电平转换在电路设计中非常常见,因为做电路设计很多时候就像在搭积木,这个电路模块,加上那个电路模块,拼拼凑凑连起来就是一个电子产品了。而各电路模块间经常会...
MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系,使用者无法降低Cin,但可降低驱动电路...MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系,使用者无法降低Cin,但可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数,加快开关速度,MOSFET只靠多子导电,不存在少子储存效应,因而...
MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。 该额定电流应为负载在所有条件下可...MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。 该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。与电压情况类似,即使系统产生尖峰电流,也要确保所选的MOS晶体管能...
MOS管KNX3203B 30V100A原厂介绍 广东可易亚半导体科技有限公司是一家专业从事...MOS管KNX3203B 30V100A原厂介绍 广东可易亚半导体科技有限公司是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产...