3415场效应管漏源击穿电压-16V，漏极电流为-4A；极低RDS（on）的高密度单元设计...3415场效应管漏源击穿电压-16V，漏极电流为-4A；极低RDS（on）的高密度单元设计、无铅产品、坚固可靠；封装形式：SOT-23。3415场效应管非常适合使用于苹果充电头、...
KIA2302漏源击穿电压20V，漏极电流为3A；极低RDS（on）的高密度单元设计、无铅...KIA2302漏源击穿电压20V，漏极电流为3A；极低RDS（on）的高密度单元设计、无铅产品、坚固可靠；封装形式：SOT-23。KIA2302 20V 3A 0.065Ω SOT-23场效应管MOSFET能...
3401场效应管漏源电压-30V，漏极电流为-4A，3401采用先进的沟槽技术，提供优良...3401场效应管漏源电压-30V，漏极电流为-4A，3401采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(on)，低栅极电荷工作电压低至2.5V。该器件适用于作为负载开关或PWM应用程序。...
KIA2301漏源击穿电压-20V，漏极电流为-2.8A；极低RDS（on）的高密度单元设计、...KIA2301漏源击穿电压-20V，漏极电流为-2.8A；极低RDS（on）的高密度单元设计、无铅产品、坚固可靠；封装形式：SOT-23。KIA2301应用于小家电方案，高效率低损耗。
大功率场效应管KNK7880A漏源击穿电压高达800V，漏极电流最大值为27A；RDS (on)...大功率场效应管KNK7880A漏源击穿电压高达800V，漏极电流最大值为27A；RDS (on) = 280mΩ(typ)@VGS =10V。KNK7880A采用高级平面技术，降低导通损耗，改善开关性能，...
kia2806a最高承受电压可达60V，漏极电流最大值为150A，栅源电压：±25V，脉冲漏...kia2806a最高承受电压可达60V，漏极电流最大值为150A，栅源电压：±25V，脉冲漏极电流：580A，RDS（ON）=3.5mΩ（典型值）@VGS=10V；封装形式：TO-220、TO-247、T...
