场效应管引见篇 场效应结晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))职称...场效应管引见篇 场效应结晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))职称场效应管。由少数载流子参加导热,也称为多极型结晶体管。它归于电压掌握型半超导体...
来自韩国科学技术学院(Korea Advanced Institute of Science and Technology,...来自韩国科学技术学院(Korea Advanced Institute of Science and Technology,KAIST)的团队研发了一种用于场效应晶体管的高性能超薄聚合绝缘体。
KNX4360A场效应管是一款性能优越的器件,漏源击穿电压高达600V,漏极电流4.0A,...KNX4360A场效应管是一款性能优越的器件,漏源击穿电压高达600V,漏极电流4.0A,RDS(ON)为1.9Ω(在VGS=10V,ID=2A时),表现出卓越的导通特性,这款场效应管具有...
KIA30N03B场效应管具备出色的性能参数,漏源击穿电压30V,漏极电流30A,采用先...KIA30N03B场效应管具备出色的性能参数,漏源击穿电压30V,漏极电流30A,采用先进的高细胞密度沟槽技术,具有超低的栅极电荷,RDS(开)参数为15mΩ @ VDS=30V,较...
KIA30N06B场效应管是一款先进高密度沟槽技术的电子元件,漏源击穿电压60V,漏极...KIA30N06B场效应管是一款先进高密度沟槽技术的电子元件,漏源击穿电压60V,漏极电流25A,具有出色的性能指标,在VDS为60V时,其RDS(on)仅为25mΩ,表现出超低的...
KIA6035A场效应管的漏源击穿电压高达350V,漏极电流可达11A,适用于各种高压应...KIA6035A场效应管的漏源击穿电压高达350V,漏极电流可达11A,适用于各种高压应用场合,RDS(ON)仅为0.38Ω,在10V的VGS下表现出色、低栅极电荷,仅为15nC,有助于...