KCY3610A 是 DFN5*6 封装 100V/60A SGT N 沟 MOS，Rds (on) 仅 8mΩ，超低栅电...KCY3610A 是 DFN5*6 封装 100V/60A SGT N 沟 MOS，Rds (on) 仅 8mΩ，超低栅电荷开关速度快，100% 雪崩全检，抑制 CdV/dt 干扰，适配高压快充、工业电源，可直接替...
KIA50L06TD 为 TO-252-4 封装 60V N+P 双通道功率 MOSFET，N 沟 48A/P 沟 49A，...KIA50L06TD 为 TO-252-4 封装 60V N+P 双通道功率 MOSFET，N 沟 48A/P 沟 49A，Rds (on) 低至 13.5mΩ，低栅电荷开关快，100% 雪崩检测，适配同步降压、H 桥驱动，...
选型 650V 贴片 IGBT 选 KGB10N65A TO263 封装，开通 / 关断损耗均衡，25~175℃...选型 650V 贴片 IGBT 选 KGB10N65A TO263 封装，开通 / 关断损耗均衡，25~175℃宽温稳定，680V 以上高耐压抵御电网尖峰，省去外置续流二极管降低 BOM 成本，适用于...
KCT010N04N 超低阻功率 MOS，TOLL8L 大电流散热封装，单颗承载 395A，无需多颗...KCT010N04N 超低阻功率 MOS，TOLL8L 大电流散热封装，单颗承载 395A，无需多颗并联降成本。1369mJ 雪崩抗浪涌，-55~150℃宽温稳定，电池管理、电机控制器、快充电...
长期采购进口 TOLL 功率 MOS 面临交期长、物料成本高问题？KCT033N08N 国产贴片...长期采购进口 TOLL 功率 MOS 面临交期长、物料成本高问题？KCT033N08N 国产贴片 MOS，标准 TOLL-8L 封装兼容现有产线，低内阻减少散热物料投入，极小 Crss 缩短 E...
高压 PFC / 充电桩 MOS 发烫、电感尖峰击穿、高频 EMI 振荡？KLM60R099B TO247...高压 PFC / 充电桩 MOS 发烫、电感尖峰击穿、高频 EMI 振荡？KLM60R099B TO247 超结 MOS，90mΩ 低内阻，Qg 仅 56nC，100V/ns 抗 dv/dt，100% 雪崩全检，平替 IRF...
