P60v MOS管,60V PMOS管-KPX8106A参数引脚图 RDS(ON)=26mΩ (typ.) @ VGS=-10V...P60v MOS管,60V PMOS管-KPX8106A参数引脚图 RDS(ON)=26mΩ (typ.) @ VGS=-10V 漏极电流 (ID) :-30A 漏源击穿电压 (VDS(ON)) :-60V 功耗 (PDM) :57W 栅极电...
KNX4665B场效应管具有高击穿电压、低导通电阻和低开关损耗等特点,漏源击穿电压...KNX4665B场效应管具有高击穿电压、低导通电阻和低开关损耗等特点,漏源击穿电压高达650V,漏极电流7A,能够承受较大的电压压力、良好的导电性能,RDS(ON)的典型...
KIA7610A场效应管漏源击穿电压100V,漏极电流25A,RDS(开)=32mΩ,采用了先进...KIA7610A场效应管漏源击穿电压100V,漏极电流25A,RDS(开)=32mΩ,采用了先进的沟槽加工技术,实现极低的导通电阻,提供杰出的性能、结工作温度175℃,具备较高...
KIA6410A场效应管漏源击穿电压100V、漏极电流15A,具有RDS(ON)=72 mΩ@VGS=1...KIA6410A场效应管漏源击穿电压100V、漏极电流15A,具有RDS(ON)=72 mΩ@VGS=10V的低导通电阻特性,同时还具备改进的dv/dt能力,确保快速切换的稳定性、以及100%的...
KIA6N70H场效应管漏源击穿电压700V、漏极电流5.8A,RDS(on)typ为1.8Ω@VGS=10V...KIA6N70H场效应管漏源击穿电压700V、漏极电流5.8A,RDS(on)typ为1.8Ω@VGS=10V,具有低栅电荷(典型16NC)、高耐用性、快速切换和雪崩测试100%、具备提高dv/dt能力...
KNX2804C场效应管漏源击穿电压40V,漏极电流150A,采用先进的沟槽MOS技术,具有...KNX2804C场效应管漏源击穿电压40V,漏极电流150A,采用先进的沟槽MOS技术,具有极低的导通电阻RDS(接通),能够实现高效的电路控制;2804场效应管RDS(ON)为3.0...