KND3303C 是 KIA 国产 TO‑252 封装 N 沟道 MOS 管，30V 90A，极低导通内阻，雪...KND3303C 是 KIA 国产 TO‑252 封装 N 沟道 MOS 管，30V 90A，极低导通内阻，雪崩耐量高，解决大电流发热、开关损耗大痛点，广泛用于锂电池保护板、DC‑DC 电源、...
KIA KCY3303S N 沟道 MOS 管，DFN5*6 封装，30V 95A 大电流，低导通内阻、高雪...KIA KCY3303S N 沟道 MOS 管，DFN5*6 封装，30V 95A 大电流，低导通内阻、高雪崩耐量，解决电源设计发热、雪崩失效痛点，适配 DC‑DC 转换、工业驱动、电源管理等...
KIA KNY3303B DFN5*6 封装 N 沟道 MOS 管，30V 90A 大电流输出，低导通内阻，1...KIA KNY3303B DFN5*6 封装 N 沟道 MOS 管，30V 90A 大电流输出，低导通内阻，100% 雪崩测试，解决电源方案发热、雪崩失效痛点，广泛用于 PWM 电源、负载开关、电源...
KNY3303A DFN5*6 封装 N 沟道 mos 管，30V90A，Rds (on) 低至 3.1mΩ，开关速度...KNY3303A DFN5*6 封装 N 沟道 mos 管，30V90A，Rds (on) 低至 3.1mΩ，开关速度快，雪崩耐受性能强。解决电源发热、大电流过载、器件易损坏痛点，适配开关电源、P...
PG9103A DFN3*3 封装 N 沟道 mos 管，30V40A，沟槽工艺实现极低导通电阻，解决...PG9103A DFN3*3 封装 N 沟道 mos 管，30V40A，沟槽工艺实现极低导通电阻，解决电源方案发热、体积受限难题。适配 DC‑DC 开关、电机控制、移动电源、LED 照明电源...
KCB046N10N TO‑263 100V140A N 沟道 MOS 管｜KIA‑MOS管 低内阻低 Qg 贴...KCB046N10N TO‑263 100V140A N 沟道 MOS 管｜KIA‑MOS管 低内阻低 Qg 贴片 mos 管 攻克大电流发热雪崩损坏难题 KCB046N10N，TO‑263 mos 管...
