快充电源发热严重？PCB空间不够？选KNY3080B 80A 30V DFN5*6 MOSFET！4.1mΩ超...快充电源发热严重？PCB空间不够？选KNY3080B 80A 30V DFN5*6 MOSFET！4.1mΩ超低导通电阻，降低温升提升效率；32nC低栅极电荷，适配高频开关场景；完全兼容进口同...
KND8104A 是 KIA 品牌推出的 TO-252 封装 N 沟道 MOSFET，额定 40V/30A，典型 ...KND8104A 是 KIA 品牌推出的 TO-252 封装 N 沟道 MOSFET，额定 40V/30A，典型 Rds (on) 低至 12mΩ，具备快速开关、低 Crss 特性，适配 PWM 控制、电源管理、负载...
KCY2203A 是 KIA 品牌推出的 DFN5*6 封装 N 沟道 MOSFET，额定 30V/200A，典型...KCY2203A 是 KIA 品牌推出的 DFN5*6 封装 N 沟道 MOSFET，额定 30V/200A，典型 Rds (on) 低至 1.3mΩ，采用 SGT 先进工艺，超低栅极电荷，适配高频 PWM、紧凑型电...
KNP2803S 30V/150A TO-220 N 沟道 MOSFET | 2.0mΩ 低内阻功率管 解决... KNP2803S 30V/150A TO-220 N 沟道 MOSFET | 2.0mΩ 低内阻功率管 解决 MOS 管发热、烧毁难题 | KNP2803S 低损耗方案 KNP2803S, KNP2803S ...
KND3203C 是 KIA 品牌推出的 TO-252 封装 N 沟道 MOSFET，额定 30V/100A，典型...KND3203C 是 KIA 品牌推出的 TO-252 封装 N 沟道 MOSFET，额定 30V/100A，典型 Rds (on) 低至 3.2mΩ，采用先进沟槽工艺，开关性能优异，适配电机驱动、电池管理、...
KNY3303C 是 KIA 品牌推出的 DFN5×6 封装 N 沟道 MOSFET，额定 30V/90A，典型...KNY3303C 是 KIA 品牌推出的 DFN5×6 封装 N 沟道 MOSFET，额定 30V/90A，典型 Rds (on) 低至 2.6mΩ，开关速度快、雪崩耐受能力强，适配电源适配器、LED 驱动、工...
