KIA6N70H场效应管漏源击穿电压700V、漏极电流5.8A,RDS(on)typ为1.8Ω@VGS=10V...KIA6N70H场效应管漏源击穿电压700V、漏极电流5.8A,RDS(on)typ为1.8Ω@VGS=10V,具有低栅电荷(典型16NC)、高耐用性、快速切换和雪崩测试100%、具备提高dv/dt能力...
KNX2804C场效应管漏源击穿电压40V,漏极电流150A,采用先进的沟槽MOS技术,具有...KNX2804C场效应管漏源击穿电压40V,漏极电流150A,采用先进的沟槽MOS技术,具有极低的导通电阻RDS(接通),能够实现高效的电路控制;2804场效应管RDS(ON)为3.0...
KIA3407A场效应管采用了先进的沟槽工艺技术,漏源击穿电压70V,漏极电流80A,R...KIA3407A场效应管采用了先进的沟槽工艺技术,漏源击穿电压70V,漏极电流80A,RDS(ON)最大10.8mΩ(在VGS=10V时);封装形式:TO-220、TO-263。
1n65场效应管漏极电流1A,漏源电压高达650V,RDS(开)为9.3Ω @VGS=10V、低栅...1n65场效应管漏极电流1A,漏源电压高达650V,RDS(开)为9.3Ω @VGS=10V、低栅极电荷仅为5.0nC,提供高坚固性和快速切换能力、还具备指定的雪崩能量和改进的dv/dt...
1n60具有1A的电流承受能力和高达600V的耐压能力,且在VGS=10伏时的开态电阻仅为...1n60具有1A的电流承受能力和高达600V的耐压能力,且在VGS=10伏时的开态电阻仅为9.3Ω,确保稳定可靠的性能、低栅极电荷仅为5.0nC,在控制电荷时更加高效、还具备高...
KNX5610A场效应管采用高单元密度的先进沟槽技术,漏极电流7A,漏源击穿电压100...KNX5610A场效应管采用高单元密度的先进沟槽技术,漏极电流7A,漏源击穿电压100V,RDS(ON)=98mΩ(典型值)@VGS=10V,具有优异的导通特性;超低栅极电荷,减小开...