KNY3903A 是 KIA 品牌推出的 DFN5×6 封装 N 沟道 MOSFET，额定 30V/85A，典型...KNY3903A 是 KIA 品牌推出的 DFN5×6 封装 N 沟道 MOSFET，额定 30V/85A，典型 Rds (on) 低至 4.0mΩ，开关速度快、抗 dv/dt 干扰能力强，适配电源适配器、LED 驱...
想摆脱进口 MOSFET 交期不稳定、成本高昂的困境？KNY3403B 30V/85A N 沟道 MOS...想摆脱进口 MOSFET 交期不稳定、成本高昂的困境？KNY3403B 30V/85A N 沟道 MOSFET 采用 DFN5×6 封装，性能对标进口型号，典型 RDS (ON)=4.5mΩ，支持 Pin-to-Pin...
想摆脱进口 MOSFET 交期不稳定、成本高昂的困境？KNG3080B 30V/80A N 沟道 MOS...想摆脱进口 MOSFET 交期不稳定、成本高昂的困境？KNG3080B 30V/80A N 沟道 MOSFET 采用 DFN3×3 封装，性能对标进口型号，典型 RDS (ON)=4.1mΩ，支持 Pin-to-Pin...
KNY3080B 是一款专为高功率密度电源设计的 30V/80A N 沟道沟槽 MOSFET，采用 D...KNY3080B 是一款专为高功率密度电源设计的 30V/80A N 沟道沟槽 MOSFET，采用 DFN5×6 封装，典型 Rds (ON)=4.1mΩ@VGS=10V，总栅极电荷仅 32nC，具备优异的抗 dv/...
KNY3080A 30V 80A MOSFET DFN5*6 大电流管 4.2mΩ 低内阻 超薄封装 高效...KNY3080A 30V 80A MOSFET DFN5*6 大电流管 4.2mΩ 低内阻 超薄封装 高效率 KNY3080A、KNY3080A MOSFET、30V 80A MOSFET、DFN5*6 MOSFET、N沟...
还在为大功率电源发热大、温升超标、效率低发愁？KNB3403C 采用先进沟槽工艺，...还在为大功率电源发热大、温升超标、效率低发愁？KNB3403C 采用先进沟槽工艺，TO-263 大散热封装实现 4.5mΩ 超低 Rds (on)，80A 大电流、±20V 宽驱动余量，散热...
