场效应管引见篇 场效应结晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））职称...场效应管引见篇 场效应结晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））职称场效应管。由少数载流子参加导热，也称为多极型结晶体管。它归于电压掌握型半超导体...
来自韩国科学技术学院（Korea Advanced Institute of Science and Technology，...来自韩国科学技术学院（Korea Advanced Institute of Science and Technology，KAIST）的团队研发了一种用于场效应晶体管的高性能超薄聚合绝缘体。
KIA KCD2504A TO-252 N 沟道功率 mos 管，40V 180A，Rds (on) 低至 1.8mΩ，栅...KIA KCD2504A TO-252 N 沟道功率 mos 管，40V 180A，Rds (on) 低至 1.8mΩ，栅电荷小，开关速度快，抗 CdV/dt 干扰强。适配 BMS 锂电保护、DC-DC、电机驱动、快充...
KSZ040N120A TO-247-4 碳化硅 N 沟道 mos 管，1200V/60A，Rds (on) 仅 40mΩ，...KSZ040N120A TO-247-4 碳化硅 N 沟道 mos 管，1200V/60A，Rds (on) 仅 40mΩ，开关损耗低、雪崩耐量高，解决高频大功率发热大、进口料交期长成本高难题，适配光伏...
KSZ080N120A，TO-247-4 封装 1200V/28A SiC N 沟道 mos 管，导通电阻 80mΩ，开...KSZ080N120A，TO-247-4 封装 1200V/28A SiC N 沟道 mos 管，导通电阻 80mΩ，开关损耗低、雪崩耐量强，解决高压高频发热大、效率低、进口货期长痛点，适配光伏逆变...
KGM40N120AI，TO-247 封装 1200V/40A IGBT，低 VCEsat、高速开关、短路耐受强，...KGM40N120AI，TO-247 封装 1200V/40A IGBT，低 VCEsat、高速开关、短路耐受强，解决逆变炸管、损耗高、供货不稳痛点，适配光伏逆变器、储能变流器、UPS、感应加热...
