场效应管引见篇 场效应结晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））职称...场效应管引见篇 场效应结晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））职称场效应管。由少数载流子参加导热，也称为多极型结晶体管。它归于电压掌握型半超导体...
来自韩国科学技术学院（Korea Advanced Institute of Science and Technology，...来自韩国科学技术学院（Korea Advanced Institute of Science and Technology，KAIST）的团队研发了一种用于场效应晶体管的高性能超薄聚合绝缘体。
KND3404B TO-252 N 沟道 MOS 管，VGS (th) 仅 1.8V，支持 3.3V 单片机直接驱动...KND3404B TO-252 N 沟道 MOS 管，VGS (th) 仅 1.8V，支持 3.3V 单片机直接驱动，40V80A，导通电阻 5mΩ，雪崩耐受强。适合电机驱动、车载电源、锂电池保护板，解决...
KIA KNG8104A，DFN3*3 封装 N 沟道 MOS 管，40V 30A，Rds (on) 低至 12mΩ，低...KIA KNG8104A，DFN3*3 封装 N 沟道 MOS 管，40V 30A，Rds (on) 低至 12mΩ，低损耗、开关速度快，解决小电源板空间不足、发热大痛点。适用于负载开关、DC-DC、快充...
KIA KNB2803T TO-263 N 沟道功率 MOS 管，30V/150A，典型 Rds (on) 仅 2.4mΩ，...KIA KNB2803T TO-263 N 沟道功率 MOS 管，30V/150A，典型 Rds (on) 仅 2.4mΩ，低发热；100%ΔVds、UIS 雪崩测试，抗炸管，超低栅电荷，适配锂电 BMS、便携储能、...
KND2803T TO‑252 30V150A N 沟道 MOS管｜KIA‑MOS管 KND2803...KND2803T TO‑252 30V150A N 沟道 MOS管｜KIA‑MOS管 KND2803T TO‑252 N沟道mos管产品参数页 table{width:100%;border-collapse:collapse...
