场效应管引见篇 场效应结晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））职称...场效应管引见篇 场效应结晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））职称场效应管。由少数载流子参加导热，也称为多极型结晶体管。它归于电压掌握型半超导体...
来自韩国科学技术学院（Korea Advanced Institute of Science and Technology，...来自韩国科学技术学院（Korea Advanced Institute of Science and Technology，KAIST）的团队研发了一种用于场效应晶体管的高性能超薄聚合绝缘体。
KIA2305 为 SOT-23 封装 P 沟道 MOS 管，额定 - 20V 耐压、-3.5A 连续电流，VG...KIA2305 为 SOT-23 封装 P 沟道 MOS 管，额定 - 20V 耐压、-3.5A 连续电流，VGS4.5V 导通电阻仅 0.055Ω，支持 1.8V 低压驱动。解决普通 mos 管内阻高、小电压无法...
KIA2301 SOT-23 封装 P 沟道 mos 管，额定 - 20V/-2.8A，支持 2.5V 低压驱动，...KIA2301 SOT-23 封装 P 沟道 mos 管，额定 - 20V/-2.8A，支持 2.5V 低压驱动，导通电阻小、发热损耗低；解决充电宝、智能穿戴电源压降大、驱动电压高、PCB 占位大...
KIA3415 SOT-23 封装 P 沟道 mos 管，额定 - 16V/-4A，支持 1.8V 低压驱动，导...KIA3415 SOT-23 封装 P 沟道 mos 管，额定 - 16V/-4A，支持 1.8V 低压驱动，导通内阻低损耗小；解决小型电源、智能穿戴、充电宝电池管理压降大、驱动电压高、板占...
NP35P10G-G TO-252-2L 封装 P 沟道 mos 管，参数对标 NP35P10G-G、完美平替 AP...NP35P10G-G TO-252-2L 封装 P 沟道 mos 管，参数对标 NP35P10G-G、完美平替 AP35P10D；-100V 耐压 35A 大电流，低导通内阻、开关损耗低，贴片焊接稳定
