场效应管引见篇 场效应结晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））职称...场效应管引见篇 场效应结晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））职称场效应管。由少数载流子参加导热，也称为多极型结晶体管。它归于电压掌握型半超导体...
来自韩国科学技术学院（Korea Advanced Institute of Science and Technology，...来自韩国科学技术学院（Korea Advanced Institute of Science and Technology，KAIST）的团队研发了一种用于场效应晶体管的高性能超薄聚合绝缘体。
KIA 原厂 KNY3404C DFN5*6 40V80A N 沟道沟槽 MOSFET，典型 Rds (on)=5mΩ，低...KIA 原厂 KNY3404C DFN5*6 40V80A N 沟道沟槽 MOSFET，典型 Rds (on)=5mΩ，低栅电荷、110mJ 高雪崩耐受，可直接替代 AON6792、NCE4080K，国产现货库存，批量采购...
KIA 原厂 KNY8104A DFN5*6 封装 40V30A N 沟道 MOSFET，典型 Rds (on)=12mΩ，...KIA 原厂 KNY8104A DFN5*6 封装 40V30A N 沟道 MOSFET，典型 Rds (on)=12mΩ，低反向电容 Crss，高速开关。可直代 AON6408、NCE4030K 等进口 MOS，现货库存，交期...
KSM040N120B 1200V68A 碳化硅 MOS 管 TO247 封装，40mΩ 低内阻，高频低损耗，...KSM040N120B 1200V68A 碳化硅 MOS 管 TO247 封装，40mΩ 低内阻，高频低损耗，完美对标进口 40mΩ1200V SiC 功率管，适配光伏、充电桩、工业高压电源，原厂现货可...
KIA 原厂 KPG4506A DFN3*3 P 沟道 MOS 管，额定 - 60V/6A，典型 Rds (on)=54mΩ...KIA 原厂 KPG4506A DFN3*3 P 沟道 MOS 管，额定 - 60V/6A，典型 Rds (on)=54mΩ，支持 5V 逻辑电平驱动，100% UIS 雪崩测试。适配负载开关、电源管理、高速线路驱...
