场效应管引见篇 场效应结晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))职称...场效应管引见篇 场效应结晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))职称场效应管。由少数载流子参加导热,也称为多极型结晶体管。它归于电压掌握型半超导体...
来自韩国科学技术学院(Korea Advanced Institute of Science and Technology,...来自韩国科学技术学院(Korea Advanced Institute of Science and Technology,KAIST)的团队研发了一种用于场效应晶体管的高性能超薄聚合绝缘体。
1n60具有1A的电流承受能力和高达600V的耐压能力,且在VGS=10伏时的开态电阻仅为...1n60具有1A的电流承受能力和高达600V的耐压能力,且在VGS=10伏时的开态电阻仅为9.3Ω,确保稳定可靠的性能、低栅极电荷仅为5.0nC,在控制电荷时更加高效、还具备高...
KNX5610A场效应管采用高单元密度的先进沟槽技术,漏极电流7A,漏源击穿电压100...KNX5610A场效应管采用高单元密度的先进沟槽技术,漏极电流7A,漏源击穿电压100V,RDS(ON)=98mΩ(典型值)@VGS=10V,具有优异的导通特性;超低栅极电荷,减小开...
碳化硅MOS管KSZ080N120A参数:28A,1200V;RDS(ON)仅为80mΩ,在VGS为20V,T...碳化硅MOS管KSZ080N120A参数:28A,1200V;RDS(ON)仅为80mΩ,在VGS为20V,TJ为25°C时达到典型值,具有低导通电阻和高阻断电压的特点;在低电容条件下能实现高...
碳化硅MOS管KSZ040N120A具有60A 1200V的参数特性,RDS(ON)仅为40mΩ(典型值...碳化硅MOS管KSZ040N120A具有60A 1200V的参数特性,RDS(ON)仅为40mΩ(典型值)在VGS=20V,TJ=25℃条件下,在高电压下能够拥有较低的导通电阻,同时表现出优异的...