KIA8N60场效应管漏源击穿电压600V,漏极电流7.5A,使其在高压环境下发挥稳定而...KIA8N60场效应管漏源击穿电压600V,漏极电流7.5A,使其在高压环境下发挥稳定而强大的作用,其RDS(开)值仅为0.98Ω,在输入电压为10V时表现突出,具有良好的导通...
KIA7N60H场效应管漏源击穿电压600V,漏极电流7A,能够在高压应用中表现出色;R...KIA7N60H场效应管漏源击穿电压600V,漏极电流7A,能够在高压应用中表现出色;RDS(打开)=1.0Ω @ VGS=10V,具有较低的导通电阻,能够有效降低功耗和提高效率;能...
KIA3409采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(导通)和低栅极电荷。该器件适用于...KIA3409采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(导通)和低栅极电荷。该器件适用于负载开关或PWM应用。标准产品KIA3409不含铅(符合ROHS和Sony 259规范)。 VDS(V)=...
KND4560A场效应管漏源电压600V,漏极电流6A,RDS(ON)为1.4Ω(在VGS=10V时的...KND4560A场效应管漏源电压600V,漏极电流6A,RDS(ON)为1.4Ω(在VGS=10V时的典型值);具有TO-251、252封装形式可供选择,方便安装使用。KND4560A能够替代士兰微...
KIA4N60H场效应管漏源电压600V,漏极电流4A,RDS(ON)=2.3Ω@VGS=10V;具备低...KIA4N60H场效应管漏源电压600V,漏极电流4A,RDS(ON)=2.3Ω@VGS=10V;具备低栅极电荷(典型值为13.5nC)最小化开关损耗,高坚固性,快速切换能力,指定雪崩能量...
KNH8150A场效应管采用高级平面工艺,漏源电压500V,漏极电流30A,RDS(ON)=15...KNH8150A场效应管采用高级平面工艺,漏源电压500V,漏极电流30A,RDS(ON)=150mΩ(典型值)@VGS=10V;具备低栅极电荷最小化开关损耗,能够稳定可靠地工作,加固...