KIA20N50HM 采用 TO-247 大功率封装，额定 500V/20A，导通内阻低、散热性能优异...KIA20N50HM 采用 TO-247 大功率封装，额定 500V/20A，导通内阻低、散热性能优异，雪崩耐量达 1110mJ，适配大功率开关电源、有源 PFC 电路；可直接平替进口同规格 ...
KIA20N50HF 采用 TO-220F 绝缘封装，额定 500V/20A，导通内阻低、栅极电荷小，...KIA20N50HF 采用 TO-220F 绝缘封装，额定 500V/20A，导通内阻低、栅极电荷小，雪崩耐量优异，适配开关电源、有源 PFC 电路；装配无需绝缘垫片，可平替多款进口高压...
KNF6450B 采用 TO-220F 绝缘封装，额定 500V/13A，导通内阻低、开关损耗小，雪...KNF6450B 采用 TO-220F 绝缘封装，额定 500V/13A，导通内阻低、开关损耗小，雪崩耐量可达 900mJ，适配适配器、充电器功率开关；无需额外绝缘垫片，装机便捷，可平...
KIA840SB TO-263 8A500V N 沟道 MOSFET 贴片场效应管 TO‑263 散热强｜E...KIA840SB TO-263 8A500V N 沟道 MOSFET 贴片场效应管 TO‑263 散热强｜EAS=400mJ 抗浪涌｜Qg=24nC 适配高频电源设计 KIA840SB、TO‑263 MOS管...
IA5N50SY 为 DFN5*6 封装 N 沟道 MOSFET，额定 5A/500V；紧凑贴片封装大幅节省...IA5N50SY 为 DFN5*6 封装 N 沟道 MOSFET，额定 5A/500V；紧凑贴片封装大幅节省 PCB 占用空间，单脉冲雪崩能量 80mJ 可抵御电压浪涌，栅极电荷低、开关损耗小，体二...
KIA 原厂 6035AP 为 TO-220 封装 N 沟道功率 MOS，耐压 350V、常温连续电流 11...KIA 原厂 6035AP 为 TO-220 封装 N 沟道功率 MOS，耐压 350V、常温连续电流 11A；采用先进平面条纹 DMOS 工艺，导通内阻低、栅极电荷仅 15nC，开关速度快；单脉冲...
