KIA KNK75100A TO-264 封装 N 沟道 MOS 管，耐压 1000V、大电流输出，低导通内...KIA KNK75100A TO-264 封装 N 沟道 MOS 管，耐压 1000V、大电流输出，低导通内阻、散热性能优异，解决高压电源、电焊机、BLDC 驱动器件易发热、击穿损坏痛点；原厂...
KIA 原厂 KCT017N12N TOLL-8 封装 N 沟道 MOS 管，耐压 120V，超低导通内阻，大...KIA 原厂 KCT017N12N TOLL-8 封装 N 沟道 MOS 管，耐压 120V，超低导通内阻，大电流承载、低开关损耗，散热性能优异。适配储能 BMS、大功率快充、工业伺服、服务器...
KIA 原厂 KCT019N11N N 沟道 MOS 管，TOLL-8 贴片封装，110V 耐压，370A 超大电...KIA 原厂 KCT019N11N N 沟道 MOS 管，TOLL-8 贴片封装，110V 耐压，370A 超大电流，极低导通内阻解决电源发热损耗大痛点，适配储能 BMS、大功率充电桩、工业 DC-D...
KIA 原厂 KNP45100A TO-220 高压 N 沟道 MOS 管，耐压 1000V、持续电流 6A，导...KIA 原厂 KNP45100A TO-220 高压 N 沟道 MOS 管，耐压 1000V、持续电流 6A，导通电阻仅 2.0Ω，低栅电荷大幅降低开关损耗；内置快恢复体二极管，雪崩耐受强。解决...
IA 原厂 KNP43100A TO-220 封装 N 沟道高压 MOSFET，耐压 1000V，连续电流 4A；...IA 原厂 KNP43100A TO-220 封装 N 沟道高压 MOSFET，耐压 1000V，连续电流 4A；典型 Rds (on) 仅 2.2Ω，低栅电荷大幅降低开关损耗，内置快恢复体二极管，反向恢复...
KIA 原厂 KNK7590A TO-264 封装 N 沟道 MOSFET，耐压 900V，连续电流 24A；Rds...KIA 原厂 KNK7590A TO-264 封装 N 沟道 MOSFET，耐压 900V，连续电流 24A；Rds (on) 仅 300mΩ，低栅电荷降低开关损耗，多晶硅栅极耐冲击。适配工业电焊机、BLDC ...
