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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 239 个

  • KIA78L10

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    www.kiaic.com/product/detail/463.html         2025-07-09

  • KIA78L09

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    www.kiaic.com/product/detail/165.html         2025-07-09

  • KIA78L08

    KIA78L08

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    www.kiaic.com/product/detail/166.html         2025-07-09

  • KIA78L06

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    www.kiaic.com/product/detail/167.html         2025-07-09

  • KIA78L05FS

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    www.kiaic.com/product/detail/169.html         2025-07-09

  • KIA78L05

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    www.kiaic.com/product/detail/170.html         2025-07-09

  • 电机控制mos,260a40v场效应管,KCT1704A参数现货-KIA MOS管

    KCT1704A场效应管漏源击穿电压40V,漏极电流260A ,采用先进的SGT技术、?专有高密度沟槽技术制造,极低导通电阻RDS(开启) 1.1mΩ,低栅极电荷减少开关损耗,提高效率;符合RoHS标准且不含卤素,优质环保;在电池管理系统、负载开关、无刷直流电机控制中广泛应...

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    www.kiaic.com/article/detail/5777.html         2025-07-08

  • ​电压转电流电路原理,电压转换电流电路分享-KIA MOS管

    电压转电流电路(V/转换电路)通过负反馈机制将电压信号转换为电流信号,原理基于欧姆定律,通过调节电路参数实现电压与电流的线性转换。采用深度负反馈放大电路,通过调节反馈系数实现电压到电流的转换。当输入电压变化时,放大器输出电流变化,经反馈网络调整...

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    www.kiaic.com/article/detail/5776.html         2025-07-08

  • sbd,肖特基二极管原理和作用详解-KIA MOS管

    肖特基势垒二极管(SBD),属于金属-半导体结电子器件,由金属层(金/钼/镍/钛等)与N型半导体(硅/砷化镓)形成肖特基势垒接触。

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    www.kiaic.com/article/detail/5775.html         2025-07-08

  • 050N08,85v120a场效应管,KCX050N08N参数引脚图-KIA MOS管

    KCX050N08N场效应管漏源击穿电压85V,漏极电流120A ,采用先进的MOS技术制造,极低导通电阻RDS(开启) 4.6mΩ,卓越的QgxRDS(on)产品(FOM),减少开关损耗,提高效率;符合JEDEC标准,100%DVDS测试、100%雪崩测试,确保可靠性和稳定性,在电机控制和驱动、电...

    www.kiaic.com/article/detail/5774.html         2025-07-07

  • 高频开关电源工作原理,电路原理-KIA MOS管

    高频开关电源通过高频变换实现高效率电能转换,高频开关电源是由输入滤波、整流滤波、高频变换、输出整流滤波和控制电路组成。

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    www.kiaic.com/article/detail/5773.html         2025-07-07

  • 817c光耦参数,817C引脚图和参数-KIA MOS管

    光耦817通过光信号实现输入和输出之间的电气隔离。光耦817内部包含一个发光二极管(LED)和一个光电晶体管,当LED发光时,光电晶体管会感应到光信号并导通,从而实现信号的传递。

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    www.kiaic.com/article/detail/5772.html         2025-07-07

  • 充气泵电路图,充气泵MOS管应用-KIA MOS管

    充气泵中的MOS管主要用于控制电机供电和气压调节,实现精准充气和智能控制。电机控制充气泵通常配备电机驱动气泵,通过MOS管调节电流通断以控制电机运转。

    www.kiaic.com/article/detail/5770.html         2025-07-04

  • 040N10N,100v120a场效应管,KCX040N10N参数原厂-KIA MOS管

    KCX040N10N场效应管漏源击穿电压100V,漏极电流120A ,采用先进的MOS技术制造,极低导通电阻RDS(开启) 3.6mΩ,卓越的QgxRDS(on)产品(FOM),减少开关损耗,提高效率;符合JEDEC标准,100%DVDS测试、100%雪崩测试,确保可靠性和稳定性,在电机控制和驱动、电...

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    www.kiaic.com/article/detail/5771.html         2025-07-04

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