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超结MOS管KCF6265A采用KIA半导体先进的超级结技术制造，低导通电阻RDS(on) 0.33Ω，可以最大限度地减少导通损耗，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲；具有低栅极电荷、高坚固性、快速切换，高效低耗；100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，稳定...

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www.kiaic.com/article/detail/5946.html 2025-09-28

肖特基势垒二极管利用金属-半导体(M-S)接触特性制成，有点接触型和面结合型两种管芯结构。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体通常为硅（Si）或砷化镓（GaAs）。

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www.kiaic.com/article/detail/5945.html 2025-09-28

正弦波逆变器将直流电转换为与电网相似的标准正弦波交流电，广泛应用于太阳能、电动车充电和移动电源等领域。直流输入：逆变器接收来自直流电源（如蓄电池、太阳能电池）的电能。高频开关电路：通过功率半导体器件（如IGBT、MOSFET）组成的开关电路，将直流电转...

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www.kiaic.com/article/detail/5944.html 2025-09-28

超结MOS管KCB6265A采用KIA半导体先进的超级结技术制造，低导通电阻RDS(on) 0.33Ω，可以最大限度地减少导通损耗，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲；具有低栅极电荷、高坚固性、快速切换，高效低耗；100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，稳定...

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www.kiaic.com/article/detail/5943.html 2025-09-26

碳化硅mos管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是第三代半导体材料电力电子器件，三个脚分别为栅极（G），漏极（D）和源极（S）。碳化硅MOS为电压型控制器件，具有耐高温，开关速度快，工作频率高等特点。

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www.kiaic.com/article/detail/5942.html 2025-09-26

储能逆变器是一种将直流电转化为交流电，并能够将电能储存于电池中的设备。储能逆变器在应对电网电力波动和提高电力系统供电质量方面具有非常重要的作用。它可以控制电池与电网之间的输电功率，并且在电网短暂掉电时保证负载的持续供电。储能逆变器不仅具备并网...

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www.kiaic.com/article/detail/5941.html 2025-09-26

KCB2908A场效应管漏源击穿电压85V，漏极电流130A，采用先进的SGT技术设计，极低导通电阻RDS(on) 3.7mΩ，出色的栅极电荷，可最大限度地减少导电损失，减少开关损耗；具有高坚固性、快速切换，提高效率；100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，性能稳定可靠；广泛应用...

www.kiaic.com/article/detail/5940.html 2025-09-25

当S1A为低电平的时候，MOS管Q3导通，S1A与S2A导通，S2A端被拉低到0V，实现两端都为低电平。当S1A为高电平的时候，MOS管Q3关断，S2A端由上拉电阻（上图中的 R28）拉高成高电平，实现两端都被高电平。

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www.kiaic.com/article/detail/5939.html 2025-09-25

结型场效应管（JFET）、绝缘栅型场效应管（MOSFET），结型场效应管分为N沟道和P沟道；绝缘栅型分为增强型和耗尽型（N沟道和P沟道）。JFET和MOSTFET之间的主要区别在于，通过JFET的电流通过反向偏置PN结上的电场引导，而在MOSFET中，导电性是由于嵌入在半导体上...

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www.kiaic.com/article/detail/5938.html 2025-09-25

FET（场效应晶体管）主要分为结型场效应管（JFET）、金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）和金属-半导体场效应管（MESFET）、调制掺杂场效应管（MODFET）等。

www.kiaic.com/article/detail/5937.html 2025-09-25

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