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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 258 个

  • 图腾柱pfc电路原理,电路拓扑-KIA MOS管

    在电网正半周,高频开关管S2导通,S1关断,输入电流通过S2和低频二极管D2对电感储能;S2关断后,电感电流通过S1的体二极管续流,实现能量向输出传递。在负半周,功能切换:S1作为主开关导通储能,S2体二极管续流,低频二极管D1导通。这种对称设计使电感电流方向...

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    www.kiaic.com/article/detail/6164.html         2026-01-14

  • ldo电路工作原理,ldo电路图-KIA MOS管

    取样电压Uin加在比较器A的同相输入端,与加在反相输入端的基准电压Uref(Uout*R2/(R1+R2))相比较,两者的差值经放大器A放大后.Uout=(U+-U-)*A注A为比较放大器的倍数,)控制串联调整管的压降,从而稳定输出电压。

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    www.kiaic.com/article/detail/6163.html         2026-01-14

  • dcdc转换器,5610mos管,100v5.4a,KIA5610BU场效应管-KIA MOS管

    KIA5610BU场效应管漏源击穿电压100V,漏极电流5.4A,采用先进高单元密度沟槽技术制造,?导通电阻RDS(开启) 310mΩ,最大限度地减少导电损耗,提高效率;具有超高单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供优异的RDSON和超低栅极电荷,优异Cdv/dt效应曲线、1...

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    www.kiaic.com/article/detail/6162.html         2026-01-13

  • 改善短沟道效应的方法分享-KIA MOS管

    当金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的沟道长度(L)缩减至与耗尽区宽度相近时,器件的电学特性,诸如阈值电压VT、亚阈值摆幅SS以及漏电流leakage current等,会显著偏离长沟道时的行为。

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    www.kiaic.com/article/detail/6160.html         2026-01-13

  • 08tb60,​08tb60​快恢复二极管参数,8a600v快恢复管-KIA MOS管

    KIA08TB60DP快恢复二极管开关特性好、反向恢复时间短,具有低正向电压、低漏电流、反向电压高达600V,正向电流:8A,正向电压:1.7V,降低导通损耗,反向漏电流:500μA,减少待机功耗,高效低耗,?适用于高频开关电源和逆变器场景;反向恢复时间仅需25纳秒(...

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    www.kiaic.com/article/detail/6159.html         2026-01-12

  • 充电宝保护电路,充电保护电路图-KIA MOS管

    在充电过程中,当电池的电压超过4.35v时,专用集成电路S-8261的CO脚输出信号使充电控制Q5截止,锂电池立即停止充电,从而防止锂电池因过充电而损坏;放电过程中,当电池电压降到2.3V时.S-8261的D0引脚输出信号使放电控制Q4截止,聚合物锂电池立即停止放电,以防...

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    www.kiaic.com/article/detail/6158.html         2026-01-12

  • 20n50参数,20n50mos管,500v20a场效应管,KIA20N50HM-KIA MOS管

    KIA20N50HM场效应管漏源击穿电压500V,漏极电流20A,专为高压、高速功率开关应用设计,?低导通电阻RDS(on)0.21Ω,低栅极电荷70nC,降低功率损耗,提高系统效率;快速开关能力、指定雪崩能量、改进的dvdt功能,高效稳定可靠;广泛应用于高效开关电源和有源功率...

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    www.kiaic.com/article/detail/6156.html         2026-01-09

  • 双向dcdc变换器原理,拓扑结构-KIA MOS管

    双向Buck-Boost变换器,基于传统的Buck变换器,通过在晶体管Q1上反并联二极管D1,同时在二极管D2上反并联晶体管Q2,从而形成了双向DC-DC变换器。这种变换器具有两种工作模式:降压模式和升压模式。

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    www.kiaic.com/article/detail/6155.html         2026-01-09

  • ac-dc变换电路原理,acdc变换器电路-KIA MOS管

    1.变压器转换由低频变压器(因为AC高压的频率是50-60HZ)将AC高压转换成AC低压。2.通过整流将已经降压的AC转换成DC。3.刚转换过的DC纹波严重,通过电容滤波来平滑电压。

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    www.kiaic.com/article/detail/6154.html         2026-01-09

  • 20n50场效应管参数,500v20a,KIA20N50HH现货-KIA MOS管

    KIA20N50HH场效应管漏源击穿电压500V,漏极电流20A,低导通电阻RDS(on)0.21Ω,低栅极电荷70nC,降低功率损耗,提高系统效率;快速开关能力、指定雪崩能量、改进的dvdt功能,高效稳定可靠;专为高压、高速功率开关应用设计,适用于高效开关电源和有源功率因数校...

    www.kiaic.com/article/detail/6153.html         2026-01-08

  • ac-ac变换电路原理图,工作原理详解-KIA MOS管

    图(a)所示为AC/AC变换器的原理电路图。实际上是由正组(P)双半波变流器和负组(N)双半波变流器反并联组成的。正组由V1和V2组成,负组由V3和V4组成。

    www.kiaic.com/article/detail/6152.html         2026-01-08

  • 全控整流电路原理图,工作原理-KIA MOS管

    阴极连接在一起的3个晶闸管(VT1,VT3,VT5)称为共阴极组;阳极连接在一起的3个晶闸管(VT4,VT6,VT2)称为共阳极组。共阴极组中与a,b,c三相电源相接的3个晶闸管分别为VT1,VT3,VT5,共阳极组中与a,b,c三相电源相接的3个晶闸管分别为VT4, VT6, VT2。

    www.kiaic.com/article/detail/6151.html         2026-01-08

  • dh100p20,​pmos-100v-28a,KPD7910A场效应管替代-KIA MOS管

    dh100p20替代型号KPD7910A场效应管漏源击穿电压-100V,漏极电流-28A,采用先进的高密度沟槽技术制造,?低导通电阻RDS(开启) 60mΩ,超低栅电荷,降低功率损耗,提高系统效率;开关速度快,优秀的QgxRDS产品(FOM)、符合JEDEC标准,稳定可靠;广泛应用于电动车...

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    www.kiaic.com/article/detail/6150.html         2026-01-07

  • 三相逆变电路,原理图详解-KIA MOS管

    PWM控制上管,下管电平控制(恒高或者横低);PWM控制下管,上管电平控制;上下管都是PWM控制;某个管的控制可以是PWM控制和电平控制都有。

    www.kiaic.com/article/detail/6148.html         2026-01-07

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