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SOT-23MOS管 SOT23引脚顺序 SOT23封装MOS管型号-KIA MOS管
SOT-23 MOS管无论是P沟道还是N沟道，1脚为栅极，2脚为源极，3脚为漏极。www.kiaic.com/article/detail/3430.html 2022-03-28
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MOS管2300 6A20V SOT23 参数规格书 现货直销-KIA MOS管
MOS管2300 6A20V SOT23-特性VDS=20V,RDS(on)=30mΩ@VGS=10V,ID=6.0AVDS=20V,RDS(on)=40mΩ@VGS=4.5V,ID=3.0AVDS=20V,RDS(on)=55mΩ@VGS=2.5V,ID=2.0Awww.kiaic.com/article/detail/3428.html 2022-03-25
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如何计算电源IC的功率损耗？实例分享-KIA MOS管
图中给出了从“电源IC的损耗”这个角度考虑时相关的部分。本次以输出段的MOSFET内置型IC为例进行说明。相关内容见图中蓝色所示部分。电感除外（因为电感是外置的）。如果计算此前的说明中使用的控制器型IC的损耗的话，是不包括MOSFET和电感损耗的。www.kiaic.com/article/detail/3427.html 2022-03-25
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【开关电源设计】如何为电源选择合适的工作频率？-KIA MOS管
为电源选择最佳的工作频率是一个复杂的权衡过程，其中包括尺寸、效率以及成本。通常来说，低频率设计往往是最为高效的，但是其尺寸最大且成本也最高。虽然调高频率可以缩小尺寸并降低成本，但会增加电路损耗。www.kiaic.com/article/detail/3426.html 2022-03-25
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【分享】功率MOSFET的几种电流感知方法-KIA MOS管
SPIC集控制逻辑、保护电路、功率器件于一体，如图1所示，在很多领域如电机驱动器，电子镇流器，DC－DC转换器，功率因数校正器，开关电源等都有应用，并体现出了明显的优势。www.kiaic.com/article/detail/3425.html 2022-03-24
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双极性电源如何提供电流？原理分析-KIA MOS管
双极性电源提供电流的工作原理是怎么样的呢？下图的波形显示了双极性电源电路的工作状态。在 VIN 端施加输入电压时，如果输入降至 12 V 以下，升压转换器会将其输出 VINTER 调节至 12 V。www.kiaic.com/article/detail/3424.html 2022-03-24
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关于MOSFET这些一定要知道【图文分享】-KIA MOS管
我们通常选MOS管会希望其有如下的参数：1、耐压足够高，避免DS的击穿。 2、导通电流足够大，保证功率的输出足够。3、体积小发热低，避免过热损坏器件。4、开关速度要快，因为要经过可变电阻区，所以要尽快， 避免过多的发热损耗。www.kiaic.com/article/detail/3423.html 2022-03-24
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3A MOS管|KNL42150A参数资料，原厂直销-KIA MOS管
3A MOS管KNL42150A资料：1.产品特点，高速开关，RDS(ON),typ. =6.5Ω@V GS =10V，全隔离塑料包装。2.应用，交换应用。www.kiaic.com/article/detail/2631.html 2022-03-23
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分析高速MOSFET中误启动的发生机制-KIA MOS管
误启动是因MOSFET的各栅极电容（CGD,CGS）和RG引起的现象，在串联2个MOSFET的桥式电路中，当位于开关侧的MOSFET导通（Turn-on）时，在原本为OFF状态的续流侧MOSFET发生了不应发生的导通，导致直通电流流过，损耗增大。www.kiaic.com/article/detail/3421.html 2022-03-23
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MOSFET双脉冲测试分析MOSFET反向恢复特性-KIA MOS管
为了评估MOSFET的反向恢复特性，我们使用4种MOSFET实施了双脉冲测试。4种MOSFET均为超级结MOSFET（以下简称“SJ MOSFET”），我们使用快速恢复型和普通型分别进行了比较。www.kiaic.com/article/detail/3420.html 2022-03-23
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N沟道mos管 KIA2302 3A20V资料 SOT-23 原厂价优-KIA MOS管
N沟道mos管 KIA2302 3A20V特性VDS =20V,RDS(on) =0.065Ω@VGS =4.5V,ID =3.0AVDS =20V,RDS(on) =0.090Ω@VGS =2.5V,ID =2.0Awww.kiaic.com/article/detail/3419.html 2022-03-22
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电源电路分析-过压保护电路设计-KIA MOS管
电源防护中的过压保护简单的保护，我们一般加个TVS之类的，当外部有瞬间高能量冲击时候它能够把这股能量抑制下来，虽然功率高，上千W都可以，但是维持抑制的时间很短很短，万一器件损坏或者长时间工作电压高于正常工作电压的时候，就力不从心了。www.kiaic.com/article/detail/3418.html 2022-03-22
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【分享】在模拟版图设计中堆叠MOSFET-KIA MOS管
在28nm以下，由于最大器件长度限制，模拟设计人员经常要对多个短长度的MOSFET串联来创建长沟道的器件。这些串联连接的器件通常被称为堆叠MOSFET或堆叠器件。www.kiaic.com/article/detail/3417.html 2022-03-22
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详细分析理解运算放大器输入失调电压-KIA MOS管
输入失调电压Vos(Voltage - Input Offset)，指的是为使运算放大器输出端为0V所需加于两输入端间之补偿电压。理想之运算放大器其Vos应该为0V。www.kiaic.com/article/detail/3416.html 2022-03-21