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常用的MOSFET栅极电路及作用图文分享-KIA MOS管
MOSFET是一种常见的电压型控制器件，具有开关速度快、高频性能、输入阻抗高、噪声小、驱动功率小、动态范围大、安全工作区域(SOA)宽等一系列的优点，因此被广泛的应用于开关电源、电机控制、电动工具等各行各业。栅极做为MOSFET本身较薄弱的环节，如果电路设计...www.kiaic.com/article/detail/3444.html 2022-04-02
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4.8A30V场效应管 MOS管KIA3400价格 资料 SOT-23封装-KIA MOS管
KIA3400采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（on），低栅极电荷并在低至2.5V的栅极电压下运行。该装置适用于负载开关或PWM应用。标准产品KIA3400是无铅的（符合ROHS和Sony 259规范）。KIA3400是一款绿色产品订购选项。KIA3400在电气上是相同的。www.kiaic.com/article/detail/3443.html 2022-04-01
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轻负载时开关元件MOSFET工作的注意事项-KIA MOS管
相移全桥电路中轻负载时流过的电流小，LS中积蓄的能量少，所以很有可能在滞后臂的COSS充放电完成之前就开始开关工作。因此，ZVS工作无法执行，很容易发生MOSFET的导通损耗。www.kiaic.com/article/detail/3442.html 2022-04-01
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MOSFET性能改进：RDS(ON)的决定因素-KIA MOS管
例如，许多中高压MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）结构，而小于200V的产品大多具有沟槽MOS（U-MOS）结构。因此，当耐受电压VDSS＝600V时，Rdrift成为主导因素，当耐受电压是30V时，因素Rch的比例较高。www.kiaic.com/article/detail/3441.html 2022-04-01
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N沟道3.5A30V KIA2306 MOS管参数 SOT-23 原厂直销送样-KIA MOS管
N沟道3.5A30V KIA2306 MOS管特征VDS =30V,R DS(on) =0.057Ω@V GS =10V,I D =3.5AVDS =30V,R DS(on) =0.094Ω@V GS =4.5V,I D =2.8A功率MOSFET100%测试www.kiaic.com/article/detail/3440.html 2022-03-31
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集成电路设计：MOS器件物理模型-KIA MOS管
通过模型导出的器件Model通常是一个四端口网络，这是在实际器件中衬底也是需要接参考的。通常NMOS器件衬底接地（或最低电平），相对应PMOS器件衬底接电源（或最高电平）。衬底电压不同会影响沟道电流。www.kiaic.com/article/detail/3439.html 2022-03-31
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MOS管的开关模型图文分享-KIA MOS管
1、栅极长度L是载流子必须经源到漏的距离，因此L直接关系到器件的速度，L越小，器件的速度越快，功耗越低。2、沟道宽度W决定了器件的强度，器件越宽，并行穿过器件的载流子越多。W值越大，晶体管的导通电阻越小，电流越大，负载电容放电越快，从而器件速度越快...www.kiaic.com/article/detail/3438.html 2022-03-31
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MOS管结构及其I/V特性详细分析-KIA MOS管
以NMOS为例介绍MOSFET的基本结构，如下图所示，器件以p型硅为衬底，并扩散形成两个重参杂n+的区域，分别为源端（Source）和漏端（Drawn），应当注意的是，对于单个器件，源端和漏端是人为定义的，两者是对称可交换的。www.kiaic.com/article/detail/3437.html 2022-03-30
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电路中的GND和GROUND与VCC等符号详解-KIA MOS管
DCpower一般是指带实际电压的源，其他的都是标号（在有些仿真软件中默认的把标号和源相连的）VDD：电源电压（单极器件）;电源电压（4000系列数字电路）;漏极电压（场效应管）www.kiaic.com/article/detail/3436.html 2022-03-30
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场效应晶体管的特征频率及提高ft的措施-KIA MOS管
对于元器件而言，特征频率是指其主要功能下降到不好使用时的一种截止频率。例如，对于用作为放大的有源器件——双极型晶体管以及场效应晶体管而言，特征频率就是指其电流放大系数下降到1时的频率，这是共发射极组态作为放大使用的截止频率。www.kiaic.com/article/detail/3435.html 2022-03-30
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MOS管三个工作状态及三极管工作状态-KIA MOS管
当MOS管工作在变阻区内时，其沟道是“畅通”的，相当于一个导体。在 Vds Vds < Vgs - Vth时近似满足V-I的线性关系，即有一个近似固定的阻值。此阻值受 Vgs 控制，故称变阻区域。www.kiaic.com/article/detail/3434.html 2022-03-29
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串联电路讲解及电压、电流关系分析-KIA MOS管
在串联电路中，各段电压与电阻成正比。几个电路元件沿着单一路径互相连接，每个节点最多只连接两个元件，此种连接方式称为串联。以串联方式连接的电路称为串联电路。www.kiaic.com/article/detail/3433.html 2022-03-29
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功率MOSFET功耗计算-KIA MOS管
在设计大电流电源时，MOSFET是最难确定的元件。这一点在笔记本电脑中尤其显著，这样的环境中，散热器、风扇、热管和其它散热手段通常都留给了CPU。这样，电源设计常常要面临狭小的空间、静止的气流以及来自于附近其它元件的热量等不利因素的挑战。而且，除了电...www.kiaic.com/article/detail/3432.html 2022-03-29
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【必看】如何正确选择MOSFET？-KIA MOS管
为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。www.kiaic.com/article/detail/3431.html 2022-03-28