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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5149 个

  • 电池组件中过量电流“泄漏”问题解决方法-KIA MOS管

    很多现代便携式设备发货时都必须安装电池,以便客户无需电池安装或充电便可立即开启设备。如果连接至电池的组件有过量电流“泄漏”,那设备到客户手中时可能就没电了。所有组件都有漏电流情况,尽管 IC 组件是主要元凶,但电容器、电路板脏污和湿度也具有不可预...

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    www.kiaic.com/article/detail/3458.html         2022-04-11

  • 如何判断在合适时间使用PWM控制器?-KIA MOS管

    PWM是一种适用于多种电源拓扑结构的控制方法。任何拓扑结构的电源都有非常广泛的用途,可谓无处不在;而PWM的应用范围也颇为广泛。PWM是脉冲宽度调制的缩写。在开关电源中,PWM用于调节输出电压等输出并且抑制系统输入电压的变化。

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    www.kiaic.com/article/detail/3457.html         2022-04-11

  • 【收藏】PFC的开关管驱动方案图文-KIA MOS管

    PFC(Power Factor Correction)即功率因数校正,通过调理使电网电压和输入电流同相位并减小高次谐波,有利于降低用电设备对电网的影响并提高电网利用率,已经成为很多电网输入应用场合的基本要求。

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    www.kiaic.com/article/detail/3456.html         2022-04-11

  • 【图文】CMOS求和比较器在PWM开关电源控制中的应用-KIA MOS管

    开关电源是利用现代电力电子技术,控制开关管开通和关断的时间比率,维持稳定输出电压的一种电源,开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制IC和MOSFET构成。开关电源和线性电源相比,二者的成本都随着输出功率的增加而增长,但二者增长速率各异。

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    www.kiaic.com/article/detail/3455.html         2022-04-08

  • 【图文】什么是栅极驱动器?参数特性分析-KIA MOS管

    IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对于IGBT,它们被称为集电极和发射极。

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    www.kiaic.com/article/detail/3454.html         2022-04-08

  • MOSFET-功率器件中热阻值的测量分享-KIA MOS管

    热阻值是功率器件中主要的参数之一,反映了功率器件的驱动能力。热阻值的大小与功率器件本身和所在 PCB 板散热面积有关。因此,本文描述了功率器件的热阻值的测量方法。

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    www.kiaic.com/article/detail/3453.html         2022-04-08

  • MOS管KIA3402 4.0A30V SOT-23 参数详情 原厂直销-KIA MOS管

    KIA3402采用了先进的沟槽技术,提供了优越的RDS(on),低门电荷门极电压低至2.5V。该产品适合用作负载开关或用于脉宽调制应用。KIA3402(绿色产品)采用无铅包装。

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    www.kiaic.com/article/detail/3452.html         2022-04-07

  • 【经典电路】限流保护电路图文分析-KIA MOS管

    Q1 和 Q2 构成互锁电路,即 Q1 导通时 Q2 截止,Q2 导通时 Q1 截止。在上电之后,这两个晶体管的导通顺序由 C1-R2-R3,C2-R1 决定。即在上电之后,由于电容两端电压不能突变,Q1 的基极电压将由电容 C1 负极电压 VCC 经过 R2,R3 逐渐减小至 0V;而 Q2 的基极电...

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    www.kiaic.com/article/detail/3451.html         2022-04-07

  • 电路分析-NMOS管应用于高边开关(high-sidedriver)-KIA MOS管

    NMOS是控制电路中常用的开关器件,当然也有用于放大电路的场景。NMOS作为开关时,常用于低边控制(low-sidedriver),如下所示的电路图。

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    www.kiaic.com/article/detail/3450.html         2022-04-07

  • 负载寄生电容对MOS管输出波形的影响-KIAMOS管

    调试一个模拟电路时,发现MOS管的输出波形的上升沿和下降沿总是出现不对称的情况,且两者的斜率相差较大。通过仔细分析,发现问题出在负载的寄生电容上,也就是说负载的寄生电容会影响MOS管的充放电时间,进而导致MOS管输出波形出现不对称的情况。

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    www.kiaic.com/article/detail/3449.html         2022-04-06

  • 实例分析MOS管最大工作频率计算方法-KIA MOS管

    上图是一个控制MOS管开关的简单电路图,根据之前的分析,MOS管栅极与源极之间有寄生电容,栅极与漏极之间也有寄生电容。另外,MOS管源极接地,漏极输出,这种情况下会产生米勒效应,使得从栅极向MOS管看进去的电容增加很多。

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    www.kiaic.com/article/detail/3448.html         2022-04-06

  • 【MOS管分享】逻辑门电路的延时分析-KIA MOS管

    NMOS是栅极高电平(VGS > Vt)导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通。适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

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    www.kiaic.com/article/detail/3447.html         2022-04-06

  • 【收藏】使用自供电运算放大器创建低泄漏整流器-KIA MOS管

    用一只精心挑选的运放、一个低阈值的P沟道MOSFET,以及两只反馈电阻,就可以做出一个正向压降小于二极管的整流电路(图1)。整流后的输出电压为有源电路供电,因此不需要额外的电源。电路的静态电流低于大多数肖特基二极管的反向泄漏电流。

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    www.kiaic.com/article/detail/3446.html         2022-04-02

  • 自动防击穿保护MOSFET器件在H桥配置中的应用-KIA MOS管

    MOSFET作为功率开关元件广泛应用于调节器和马达控制器。在各种H桥配置中,它们不仅可是分立器件也可集成到IC。

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    www.kiaic.com/article/detail/3445.html         2022-04-02

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