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图文分享|制作简易场效应管检测仪-KIA MOS管
制作简易场效应管检测仪：场效应管的全称叫做金属氧化物半导体效应晶体管也称MOS管。它可以分为N沟道与P沟道两大类，P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅...www.kiaic.com/article/detail/2565.html 2021-01-05
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模拟电子电路基础--场效应管解析-KIA MOS管
模拟电子电路基础--场效应管：场效应管，是电压控制器件，不吸收信号源电流，不消耗信号源功率，输入阻抗高，温度特性好，抗干扰能力强，便于集成。JFET利用耗尽区的宽度改变导电沟道的宽窄来控制漏极电流；MOSFET则利用半导体表面的电场效应，由感应电荷的多少...www.kiaic.com/article/detail/2564.html 2021-01-05
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小尺寸MOS器件模型/MOS器件模型KIA-MO管
缩小MOS器件的尺寸是推进LSI技术发展的关键因素初期的MOs器件都是大尺寸的(10m左右),因而习惯上有套适用它们的物理模型和计算方法,所得的结果与大尺寸器件的实测特性相符合www.kiaic.com/article/detail/2545.html 2021-01-04
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光耦驱动mos管电路详解-光耦对mos驱动电流计算三种方式-KIA MOS管
在光耦驱动的电路中，针对MOS管的驱动电流是需要特别进行估算的．—般常用的估算方式，将对光耦mos管估算方式进行介绍．耦继电器按输出结构也可以分为MOS(场效应管)输出或SCR(可控硅整流管)输出。MOS输出的负载电流比较小(通常几百mA)，而如果是SCR输出的负载电...www.kiaic.com/article/detail/911.html 2021-01-04
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单相电机原理图解与单相电机保养流程（专业与一般电机保养区别）-KIA MOS管
单相电机原理图解与单相电机保养流程（专业与一般电机保养区别），单相电机一般是指用单相交流电源（AC220V）供电的小功率单相异步电动机。这种电机通常在定子上有两相绕组，转子是普通鼠笼型的。两相绕组在定子上的分布以及供电情况的不同，可以产生不同的起动...www.kiaic.com/article/detail/1972.html 2021-01-04
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钽电容的作用-钽电容标识方法及正负极判断-钽电容的发展-KIA MOS管
钽电容是电容器中体积小而又能达到较大电容量的产品，是1956年由美国贝尔实验室首先研制成功的，它的性能优异。钽电容器外形多种多样，并制成适于表面贴装的小型和片型元件。钽电容器不仅在军事通讯，航天等领域应用，而且钽电容的应用范围还在向工业控制，影视...www.kiaic.com/article/detail/1799.html 2021-01-04
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详解三极管电路分析方法（附电路图）-三极管基本知识概述-KIA MOS管
三极管电路分析方法详解。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。www.kiaic.com/article/detail/2074.html 2021-01-04
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基于二极管或MOS管的反向保护电路设计分享-KIA MOS管
二极管或MOS管的反向保护电路设计：设计电路时，有时候会发现电路板上的芯片突然有微微烧焦的气味，这有可能是反向电流的恶作剧。特别是设计便携式的电子产品，如果一不小心，电池的反向连接对便携式产品可以是致命的，会有损坏电路或电池本身的危险。www.kiaic.com/article/detail/2562.html 2021-01-04
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MOS管电路|MOS管基本使用电路分享-KIA MOS管
MOS管基本电路：如图1，这是N管的最常用的一种电路，N管S端接地，D端接负载。则当G端信号电压大于GND+Vgs的时候，mos开启，当信号电压小于GND+Vgs时关闭。R1电阻使无外加信号时mos处于关闭状态。www.kiaic.com/article/detail/2561.html 2021-01-04
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MOS管SOA分析|哪些问题与MOS管SOA有关？-KIA MOS管
MOS管SOA分析-板子上的功率mos管是否能持续安全工作，是设计者最担心的问题。炸机、用着用着就坏了、莫名其妙MOS管就炸了，工程师遇到这些真是又怕又恨，可到底是哪里出问题了呢？这一切其实都和SOA有关，下面开始详解MOS管SOA分析。www.kiaic.com/article/detail/2560.html 2021-01-04
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KIA20N50|500V20A中文资料|MOS管原厂，免费送样-KIA MOS管
KIA20N50，500V20A中文资料-描述:KIA20N50H n通道增强模式硅栅功率MOSFET的设计电压,，高速开关电源应用，如高效率开关电源;有源功率因数校正。www.kiaic.com/article/detail/2559.html 2020-12-31
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图文干货|用RC实现MOS管死区时间设置-KIA MOS管
MOS管死区时间设置：可在mos管的门级加上RC延时开启电路，在电阻上并接二极管实现快速关断。蓝线为输入，黄线为输出;左图为不接电容，有图为接上电容;两图对比可见关闭没有延时而开启有明显延时，从而可实现上下管之间的死区控制。www.kiaic.com/article/detail/2558.html 2020-12-31
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元件电力知识|有关PWM“死区”时间解析-KIA MOS管
有关PWM“死区”时间：PWM是脉宽调制。在电力电子中，最常用的就是整流和逆变，这就需要用到整流桥和逆变桥。对三相电来说，就需要三个桥臂。以两电平为例，每个桥臂上有两个电力电子器件，比如igbt。这两个igbt不能同时导通，否则就会出现短路的情况。www.kiaic.com/article/detail/2557.html 2020-12-31
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MOS管缓启动电路原理详解分享-KIA MOS管
MOS管缓启动电路：尽管MOSFEI在开关电源、电机控制等一些电子系统中得到广泛的应用，但是许多电子工程师并没有;十分清楚的理解MOSFET开关过程，以及MOSFET在开关过程中所处的状态。一般来说，电子工程师通常基于栅极电荷理解MOSFET的开通的过程，如图1所示。www.kiaic.com/article/detail/2556.html 2020-12-30