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mos管上拉电阻和下拉电阻区别图文详解-KIA MOS管
上拉电阻的目的是为了保证GPIO（低电平有效）无信号输入时输入端的电平为高电平，相反的，下拉电阻是为了保证GPIO（高电平有效）无信号输入时输入端的电平为低电平。www.kiaic.com/article/detail/5076.html 2024-07-11
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160n60场效应管参数代换,电源专用mos管KIA2806A资料-KIA MOS管
电源专用mos管KIA2806A漏源击穿电压60V，漏极电流150A，低RDS（ON）=3.5 m?（典型值）@VGS=10V，减小损耗，提高效率；100%雪崩测试，可靠且坚固；提供无铅和绿色设备（符合RoHS标准），高效质优；是切换应用程序、逆变器系统的电源管理、不间断电源的理想选择...www.kiaic.com/article/detail/5075.html 2024-07-10
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100n08参数代换,KNP2908B场效应管参数引脚图,中文资料-KIA MOS管
KNP2908B采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压80V，漏极电流130A，提供优异的RDS（ON）=5.0mΩ（典型值）@VGS=10V，低栅极电荷，低RDS（ON）的高密度电池设计、完全表征雪崩电压和电流、稳定性和均匀性好，EAS高，非常适合应用于电源切换应用、硬开关和高频电路、...www.kiaic.com/article/detail/5074.html 2024-07-10
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mos是多子还是少子,mos为什么是多子器件？-KIA MOS管
MOS管是单载流子（“多数载流子”）参与导电的器件，是单极型晶体管。在MOSFET中，当施加适当的电压时，多数载流子（电子或空穴，取决于半导体类型）在半导体表面形成反型层，从而允许电流流动。因此，MOSFET是多子器件。www.kiaic.com/article/detail/5073.html 2024-07-10
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80n10场效应管参数代换,KCX3310A参数引脚图,原厂批发-KIA MOS管
KCX3310A场效应管采用先进的SGT技术，漏源击穿电压100V，漏极电流85A；低导通电阻RDS（导通）仅为5mΩ，极低的开关损耗，具有低RDS（开启）和FOM、卓越的稳定性和均匀性、快速切换和软恢复，高效可靠，适用于电源切换应用、硬开关和高频电路、不间断电源等。封...www.kiaic.com/article/detail/5072.html 2024-07-09
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电压比较器原理,电压比较器与运算放大器的区别-KIA MOS管
电压比较器广泛应用于模拟电路和数字电路中，是将两个输入电压进行比较，并根据比较结果输出相应的电平。电压比较器在各种电子系统中发挥着重要作用，如信号处理、模数转换、电源管理等。www.kiaic.com/article/detail/5071.html 2024-07-09
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mosfet为什么可以并联,mosfet并联注意事项-KIA MOS管
并联多个MOSFET是一种常见的应用方式，这种方法有助于减少传导损耗并分散功耗，从而限制最大结温。当多个MOSFET并联时，由于每个器件的温度系数是正的，即温度升高时导通电阻增大，这有助于自动平衡流过每个器件的电流。www.kiaic.com/article/detail/5070.html 2024-07-09
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dcdcmos管选型,40n20场效应管参数,代换,KIA40N20A-KIA MOS管
KIA40N20A漏源击穿电压200V，漏极电流40A，RDS(ON) =0.08Ω (Max) @VGS =10V，具有快速切换、低电阻、低栅极电荷特性，符合RoHS，高效率低损耗、稳定可靠，适用于DC-DC转换器、UPS DC-AC转换器、开关电源和电机控制，还可以用于逆变电路、安防、拉杆音箱、无线...www.kiaic.com/article/detail/5069.html 2024-07-08
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mos管经常烧坏的原因以及解决方法-KIA MOS管
过电压是指电路中电压突然增加至远远超过功率MOS管承受范围的情况，电源电压异常、开关电路失效、电感和电容器反复开关时产生的反向电压等现象都会导致过电压的产生。www.kiaic.com/article/detail/5068.html 2024-07-08
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拉电流和灌电流的概念、区别详解-KIA MOS管
电流流动方向灌电流和拉电流的最明显区别在于电流的流动方向。灌电流是从负载流向电源，而拉电流是从电源流向负载。www.kiaic.com/article/detail/5067.html 2024-07-08
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电池管理系统BMS,1810场效应管参数,KCT1810A原厂-KIA MOS管
KCT1810A功率MOSFET采用先进的SGT技术，漏源击穿电压100V，漏极电流240A，极低的导通电阻RDS（开启）典型值=1.6mΩ@VGS=10V，减小损耗；具有优秀的栅极电荷x RDS（on）产品（FOM），提高效率、稳定可靠，适用于电机控制和驱动、电池管理、DC/DC转换器及通用应用...www.kiaic.com/article/detail/5066.html 2024-07-05
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逆变器厂家,逆变器品牌排名,逆变器选择-KIA MOS管
逆变器的工作原理就是一个低压直流转换为高压交流的过程；逆变器作为电力电子装置中的关键组件，扮演着将直流电转换为交流电的角色，这一过程对于诸如太阳能发电系统、不间断电源（UPS）、电动汽车充电站、电池储能系统等众多应用至关重要。www.kiaic.com/article/detail/5065.html 2024-07-05
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igbt输出特性曲线、工作区分析-KIA MOS管
①正向阻断区（截止区）：当门极电压Vge＜Vge（th），IGBT内部MOS沟道被夹断，IGBT工作在截止区，由于外部电压Vce的存在，此时IGBT集电极-发射极之间存在很小的漏电流Ices。www.kiaic.com/article/detail/5064.html 2024-07-05
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电机控制器mos管,2904场效应管参数,KNP2904A现货-KIA MOS管
电机控制器专用mos管KNP2904A漏源击穿电压40V，漏极电流130A，极低的导通电阻RDS（ON）=2.5mΩ（典型值）@VGS=10V，减小损耗、提高效率；具有低Crss、快速切换、100%雪崩测试以及改进的dv/dt能力，稳定可靠，适用于PWM应用、负载开关、电源管理等多种应用场景，...www.kiaic.com/article/detail/5063.html 2024-07-04