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7150场效应管,20A 500V,KNH7150A参数引脚图-KIA MOS管
KNH7150A场效应管采用专有新平面技术，漏源击穿电压500V，漏极电流20A，RDS(ON),typ.=0.24Ω@VGS =10V，具有低栅极电荷最小化开关损耗、快恢复体二极管，是一款性能出色的器件，7150场效应管在适配器充电器、开关电源、液晶面板电源应用中表现出色，可与20N50场...www.kiaic.com/article/detail/5048.html 2024-06-27
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常用仪表放大器,运算放大器电路图-KIA MOS管
第一级电路让共模信号有效地通过，没有任何放大或衰减，第二级差动放大器将共模信号去除。由于额外提升了差分增益，虽然电阻器的匹配状况并没有改善，但是系统的有效共模抑制能力却得到了增强。www.kiaic.com/article/detail/5047.html 2024-06-27
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运算放大器放大倍数计算公式分享-KIA MOS管
应用运算放大器时，需要根据具体电路计算放大倍数A和输出电压Vout等参数。以下是几个常用的计算公式：A = -(Rf / Rin)Vout = -A(Vin - Vref)Vout = A(Vin+ - Vin-)www.kiaic.com/article/detail/5046.html 2024-06-27
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28n50场效应管参数,引脚图,20N50代换,24N50代换-KIA MOS管
漏源电压：500V漏极电流：28A漏源通态电阻(RDS(on))：0.16Ω栅源电压：±30Vwww.kiaic.com/article/detail/5045.html 2024-06-26
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28n50场效应管参数,20N50,24N50场效应管代换-KIA MOS管
KIA28N50场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流28A，RDS（on）（典型值）=0.16mΩ@Vgs=10V，具有低栅极电荷、低Crss，最小化开关损耗，以及100%雪崩Aested、提高dv/dt能力、符合RoHS，良好的开关特性能够在车载逆变器、LED电源、手机充电器、备用电源等应用中表现...www.kiaic.com/article/detail/4547.html 2024-06-26
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电动车防盗报警器驱动电路图,工作原理详解-KIA MOS管
以输入 48V 为例。PWM1 和 PWM2 为两个输入控制信号，其实是两个音频信号。两个信号不能同时为高电平，否则会造成短路。www.kiaic.com/article/detail/5044.html 2024-06-26
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ldo和dcdc的区别,应用,ldo和dcdc的优缺点-KIA MOS管
LDO外围器件少，电路简单，成本低；DC-DC外围器件多，电路复杂，成本高；LDO负载响应快，输出纹波小；DC-DC负载响应比LDO慢，输出纹波大；LDO效率低，输入输出压差不能太大；DC-DC效率高，输入电压范围宽泛；www.kiaic.com/article/detail/5043.html 2024-06-26
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电动车防盗报警器专用,KPD7910A场效应管参数引脚图-KIA MOS管
电动车防盗报警器专用MOS管KPD7910A漏源击穿电压-100V，漏极电流-28A，RDS(on) = 60mΩ(typ)@VGS=10V，具有极低通阻RDS(on)，开关速度快，优秀的QgxRDS产品（FOM）、符合JEDEC标准，是一款高效优质的器件。www.kiaic.com/article/detail/5042.html 2024-06-25
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反激式开关电源,rcd吸收电路工作原理-KIA MOS管
当MOS关断时，谐振电压波形在B点产生电压尖峰，此时UB高于UA（初始时刻电容C两端无电压差），则UB通过二极管D向电容C充电。Uds电压升高的本质是初级绕组漏感瞬变电流感应产生的电压（初级绕组漏感存储的磁能）向MOS管的寄生电容Coss进行充电，寄生电容Coss两端...www.kiaic.com/article/detail/5041.html 2024-06-25
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碳化硅mos管的优缺点,驱动电路设计分析-KIA MOS管
碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。碳化硅器件有更耐高压，在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件。www.kiaic.com/article/detail/5040.html 2024-06-25
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无线充MOS管,ncep15t14参数代换,2915场效应管-KIA MOS管
无线充专用MOS管KNB2915A采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压150V，漏极电流130A，RDS（ON）=10mΩ（典型值）@VGS=10V，具有极低导通电阻RDS（on）和优秀的Qg x RDS（ON）产品（FOM），符合JEDEC标准，能够匹配ncep15t14参数代换使用，KNB2915A封装形式：TO-263，...www.kiaic.com/article/detail/5039.html 2024-06-24
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反激开关电源环路设计,实例方案-KIA MOS管
在环路设计时，Loop1、2、3的环路面积要尽量小，在Loop1中，走线还应尽量粗以优化效率，在Loop3中，VDD电容C3应紧贴芯片。在GND走线设计时，辅助绕组应直接连接到输入电容的地，如Line1所示；VDD电容C3及FB下阻R5应先连接到芯片的GND管脚，再连接到输入电容的地...www.kiaic.com/article/detail/5038.html 2024-06-24
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开关电源环路补偿设计,图文分析-KIA MOS管
设计补偿部分，先确定目标带宽，然后再设计补偿部分，使在目标带宽时的相位裕量大于45°，幅值裕度不管用上面哪种补偿方式都是自动满足的，所以设计时一般不用特别考虑。在用Topswitch设计的反激电源中，目标带宽除受到一般反激电源的几个限制外（带宽要小...www.kiaic.com/article/detail/5037.html 2024-06-24
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电机控制器MOS管,9130场效应管,KNX9130B参数资料-KIA MOS管
电机控制器专用MOS管KNX9130B采用专有新型平面技术，漏源击穿电压300V，漏极电流40A，RDS（ON）=0.12Ω（典型值）@VGS=10V，降低导通损耗，具有低栅极电荷最小化开关损耗、快速恢复体二极管等特性。www.kiaic.com/article/detail/5036.html 2024-06-21