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电动机正反转控制接线图,接线方法分享-KIA MOS管
如图所示为了使三相异步电动机能够进行正转和反转，一般采用两个接触器KM1、KM2换接电动机三相电源的相序，但两个接触器不能吸合，如果同时吸合将造成电源的短路事故，为了防止这种事故的发生，一般在电路中应采取可靠的互锁。www.kiaic.com/article/detail/5062.html 2024-07-04
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逆变器电路,无刷电机驱动电路图解-KIA MOS管
在这个电路图中，功率器件采用晶体管。晶体管起到高速开关的作用。像这样不工作在放大状态、起开关作用的器件，叫做“开关器件”。实际上，这里运用的并不是普通晶体管，而是MOSFET 或IGBT。www.kiaic.com/article/detail/5061.html 2024-07-04
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fhp100n07参数代换,KNP2906B场效应管参数引脚图-KIA MOS管
KNP2906B场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流130A，其RDS（开）典型值为4.6mΩ@VGS=10V，低栅极电荷（典型值为148nC），具有高坚固性和100％的雪崩测试，稳定可靠；还具有改进的dv/dt能力，适用于同步整流、锂电池保护板和逆变器等多种应用场景，能够有效减小功...www.kiaic.com/article/detail/5060.html 2024-07-03
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电动车控制器,有刷电机控制器电路图分享-KIA MOS管
由ICIA、电阻R9、R10、R11、R12、R13、电容C4、二极管D6组成锯齿波产生电路，在ICIA的④脚输出锯齿波。PWM调制实质上也是一个比较器，ICIB⑦脚上的电压与⑥的锯齿波电压相比较，当⑥脚电压高于⑦脚电压后，比较器输出端①脚变低电平。www.kiaic.com/article/detail/5059.html 2024-07-03
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led日光灯接线方法图文详解-KIA MOS管
LED日光灯管安装简单，并不复杂。安装时将原有的日光灯取下换上LED日光灯，并将镇流器和起辉器去掉，让220V交流市电直接加到LED日光灯两端即可。安装说明：1、去掉启辉器和整流器，将市电的火线、零线分别接在支架的左右两端。2、LED灯管为内置电源，G13接口两...www.kiaic.com/article/detail/5058.html 2024-07-03
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9125mos管参数引脚,40A 250V,KNP9125A场效应管-KIA MOS管
KNP9125A场效应管采用专有新型平面技术，最高承受电压可达250V，漏极电流最大值为40A，RDS（ON）=80mΩ（典型值）@VGS=10V；具有低栅极电荷最小化开关损耗、快速恢复体二极管特性，高效优质，适用于逆变器开关电源、DC-DC转换器、SMPS和电机控制等，封装形式：...www.kiaic.com/article/detail/5057.html 2024-07-02
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MOS管快速关断,加速mos管关断电路-KIA MOS管
左图在控制端从低电平往高电平切换时，Vbe>0，Q2关断，充电电流从二极管D流入，Q1开启；右图在控制端从高电平往低电平切换时，G极电平不会瞬间变化，此时Vbe<-0.7V,Q2导通，Q2快速将电荷从G极汲取走，使G极电平快速下降，达到Q1快速关断的目的。www.kiaic.com/article/detail/5056.html 2024-07-02
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影响MOSFET阈值电压的因素详解-KIA MOS管
衬底材料对MOSFET的阈值电压有显著影响。例如，普通的MOSFET衬底材料为硅晶片，但在高温、高电场下易发生击穿，从而降低了阈值电压。因此，一些高温处理的MOSFET采用了其他衬底材料，如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等，能够提高MOSFET的阈值电压和稳定性。www.kiaic.com/article/detail/5055.html 2024-07-02
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车载逆变器mos管专用,KNH9120A场效应管,cs50n20参数代换-KIA MOS管
KNH9120A场效应管采用专有新型平面技术，漏源击穿电压200V，漏极电流40A，RDS（ON）=3.6Ω（典型值）@VGS=10V，低导通电阻有助于减少功率损耗和发热，具有低栅极电荷最小化开关损耗、快速恢复体二极管，提高效率。封装形式：TO-3P，便于散热。KNH9120A能够代换...www.kiaic.com/article/detail/5054.html 2024-07-01
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加速mos管关断,MOS管加速关断电路方法-KIA MOS管
MOSFET的关断时间与其栅极电容（Cgs）有关。减小栅极电容可以减少充放电时间，从而加速关断过程。这可以通过优化布局、使用更小的栅极面积或选择具有更低栅极电容的器件来实现。www.kiaic.com/article/detail/5053.html 2024-07-01
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如何提高MOSFET切换速度,开关速度-KIA MOS管
提高驱动电路提供的栅极驱动电压和电流，增大驱动强度可以加速MOSFET的开启和关断过程。减小栅极驱动电阻Rg可以提供更大的瞬态电流，从而加快MOSFET的开关速度。而驱动电路是控制MOS管开关的关键。选择合适的驱动电路可以提高MOS管的开关速度。例如,采用高速驱...www.kiaic.com/article/detail/5052.html 2024-07-01
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仪器仪表专用,fqpf4n90c参数代换,KNF4390A场效应管-KIA MOS管
KNF4390A采用专有新型平面技术，漏源击穿电压900V，漏极电流4A，能够承受高达900伏特的电压，适用于需要高耐压的应用场景，RDS（ON）=3.6Ω（典型值）@VGS=10V，低导通电阻有助于减少功率损耗和发热，具有低栅极电荷最小化开关损耗、快速恢复体二极管，提高效率...www.kiaic.com/article/detail/5051.html 2024-06-28
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dcdc隔离电源电路图，原理图分享-KIA MOS管
如果不太懂电源设计，又需要多路电源隔离输出，那么这个电路方案肯定能用的上，调试简单，拓扑也简单，绕变压器不需要算气隙，直接计算匝数就可以了，简单实用。实际使用中要注意三极管的选型，它必须要能够承受2倍的工作电压。www.kiaic.com/article/detail/5050.html 2024-06-28
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DCDC电源PCB布局，PCB设计要点-KIA MOS管
.在布局之前首先需要查找对应的电源IC手册，一般芯片手册里面会包含有最基本的电源电压电流信息和管脚信息，以及layout guide，如果存在layout guide则按照里面的样式进行布局布线的复刻即可，因为layout guide是经过验证的，通常能使芯片的工作状态达到最佳。...www.kiaic.com/article/detail/5049.html 2024-06-28