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igbt的驱动和短路保护,igbt的过电流保护-KIA MOS管
图中电路正常工作时，ZD1的负端的电位因D2的导通而使ZD1不足以导通Q1截止;D1的负端为高电平所以Q3也截止。C1未充电，两端的电位为0。IGBTQ3短路后退出饱和状态，集电极电位迅速上升，D2由导通转向截止。www.kiaic.com/article/detail/5007.html 2024-06-07
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电动车报警器场效应管,23P10MOS管,参数资料现货-KIA MOS管
KIA23P10A场效应管采用先进的高单元密度沟槽技术，具有出色的特性，漏源击穿电压为-100V，漏极电流为-23A，表现稳定可靠，RDS（ON）值为78mΩ（在VGS=10V时为典型值），其低导通电阻能够有效降低功耗，100%EAS保证确保设备在高负载情况下可靠运行，超低栅极电荷...www.kiaic.com/article/detail/5006.html 2024-06-06
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同步整流电路原理,同步整流电路图分享-KIA MOS管
在T1时间，图4所示：L2上端为“正”，Q2的激励电路给Q2提供一个控制Q2导通的高电平，Q2导通输出为“正”对电容C充电，并输出对负载供电。在T2时间，图5所示：L2上端为“负”，Q2的激励电路给Q2提供一个控制Q2截止的低电平，Q2截止输出为“零”，这时由电容C在T...www.kiaic.com/article/detail/5005.html 2024-06-06
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反激式开关电源电路,软开关反激式开关电源-KIA MOS管
当开关管导通时，VIN给变压器初级电感充电，初级测电感电压上高下低，次级电感电压上低下高，次级回路被二极管截止；当开关管关断时，由于电感电流不能突变为0，把电感看成一个源，为使电感电流维持，电感会在下端产生一个很高的电动势。www.kiaic.com/article/detail/5004.html 2024-06-06
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9926mos管,9926场效应管,参数引脚图规格书-KIA MOS管
9926mos管,9926场效应管参数漏源电压：20V漏极电流：6A漏源通态电阻(RDS(on))：0.030Ω总功耗：2.0Wwww.kiaic.com/article/detail/4955.html 2024-06-06
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电动车控制器mos管,80V 70A场效应管,KIA3508A现货-KIA MOS管
KIA3508A是一款具有高可靠性和坚固性的场效应管，漏源击穿电压80V，漏极电流70A，RDS（开）为11mΩ（在VGS=10V时的典型值），在100%雪崩测试下表现出色，展现出稳定可靠的特性；为电动车控制器、锂电池保护板以及逆变器系统的电源管理提供了强大支持。www.kiaic.com/article/detail/5003.html 2024-06-05
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电动车控制器线路图,电动车控制器接线图-KIA MOS管
控制器电源线粗红色的是正极，粗黑色的是负极。接好后打开钥匙，再量量电源电压和电门锁线的电压是不是正常，然后在分别量转把线的电源电压5V左右红黑线，霍尔线的电源电压5V左右红黑线别忘了万用表打到直流档上。www.kiaic.com/article/detail/5002.html 2024-06-05
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升压降压电路,升压电路和降压电路的区别-KIA MOS管
升压电路的工作原理是利用交流电源的周期性变化产生高电压脉冲，然后通过电感和电容进行储存和滤波，最终输出所需的高电压。降压电路通常采用降压电路结构，由开关元件和变压器组成，适用于将输入电压变低为输出电压的应用。www.kiaic.com/article/detail/5001.html 2024-06-05
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功放场效应管,功放MOS管,6165场效应管参数资料-KIA MOS管
KNF6165B场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流10A，符合RoHS标准，适用于音响功放、适配器、充电器和SMPS备用电源等多种应用场景，RDS（ON）典型值为0.75Ω，在VGS为10V时性能出色，低栅极电荷的最小化设计有效降低开关时的损耗，配备快速恢复体二极管，在电路切...www.kiaic.com/article/detail/5000.html 2024-06-04
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车载逆变器电路,车载逆变器过流保护电路-KIA MOS管
为了抑制该瞬间冲击电流，会在车载逆变器的DC/AC逆变电路的输出端AC1设置有抑制浪涌电流的NTC电阻Rt，如附图1所示。在上电工作前NTC电阻Rt为常温，其具有较大的电阻值，从而能够降低启动冲击电流;此后随着NTC电阻Rt温度的升高，其电阻值迅速下降，使得该NTC电阻...www.kiaic.com/article/detail/4999.html 2024-06-04
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半导体封装工艺流程图文分享-KIA MOS管
晶圆经过测试后，首先要经过背面研磨，以达到所需厚度；然后进行晶圆切割，将晶圆切割成芯片；选择质量良好的芯片，通过芯片贴装工艺将芯片连接到引线框架或基板上；之后通过引线键合的方式实现芯片与基板之间的电气连接；最后使用环氧树脂模塑料进行密封保护。...www.kiaic.com/article/detail/4998.html 2024-06-04
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光伏逆变器,锂电保护板mos管,1906场效应管现货-KIA MOS管
KNP1906B场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流80A，RDS（开）在VGS=10V时为2.7m?，在电源、光伏逆变器和锂电保护板等应用中具有出色的性能表现；1906场效应管采用无铅和绿色材料制造，符合环保要求，低RDS最大限度地减少导电损耗，提高整体效率，高雪崩电流，保...www.kiaic.com/article/detail/4997.html 2024-06-03
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光伏逆变器电路图,光伏逆变器电路原理-KIA MOS管
这里使用单稳态/非稳态多谐振荡器IC CD4047来产生开关脉冲。该 IC 工作功耗低，采用 14 引脚双列直插式封装。在引脚 13 处，引脚 10 处的振荡的 1/2 作为 Q，引脚 11 处的振荡作为 Q'，提供最大振荡输出 F。每个输出引脚的占空比为 50%。www.kiaic.com/article/detail/4996.html 2024-06-03
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mosfet制造工艺,场效应管制造工艺介绍-KIA MOS管
1.晶圆制备硅是地壳内第二丰富的元素，而脱氧后的沙子（尤其是石英）最多包含25％的硅元素，以二氧化硅(SiO?)的形式存在，这也是半导体制造产业的基础。www.kiaic.com/article/detail/4995.html 2024-06-03