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储能电源,充电桩mos管3308,KNB3308A场效应管参数-KIA MOS管
KNB3308A场效应管是一款漏源击穿电压80V，漏极电流80A的出色器件，RDS（ON）值为6.2mΩ（在VGS=10V时为典型值），优异的低导通电阻特性能够降低导通损耗，还具有高雪崩电流，能够在额定工作条件下稳定运行，确保电路的安全可靠性。www.kiaic.com/article/detail/4994.html 2024-05-31
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MOS管开关电路,开关电路图实例分析-KIA MOS管
导通条件：Vgs＞Vth，R1、R2的作用是为了给G、S之间创造一个Vgs电压，不需要去关心G、D之间的电压关系（只要没有达到击穿电压）。另外S极不一定需要接地，只需要满足Vg与Vs之间的一个电势差大于Vth，MOS管依然能够起到一个开关作用。www.kiaic.com/article/detail/4993.html 2024-05-31
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MOS管的开关特性,MOS管开关电路的连接方法-KIA MOS管
当栅极（G）接高电平时，源极（S）和漏极（D）之间的导电通道被打开，电流可以通过；当栅极接低电平时，导电通道被关闭，电流无法通过。因此，通过控制栅极的电平，可以实现MOS管开关的开关功能。www.kiaic.com/article/detail/4992.html 2024-05-31
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逆变电源,逆变器防反接保护电路分享-KIA MOS管
当电池极性未接反时，D正偏导通，Q的GS极由电池正极经过F、R1、D回到电池负极得到正偏而导通。Q导通后的压降比D的压降小得多，所以Q导通后会使D得不到足够的正向电压而截至;www.kiaic.com/article/detail/4991.html 2024-05-30
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逆变器短路保护,逆变器的过流短路保护电路-KIA MOS管
R5为全桥高压逆变MOS管源极的高压电流取样电阻，可以这么理解，高压电流的大小基本上决定了输出功率的大小，所以用R5检测高压电流的大小。图中LM339的两个比较器单元分别用来做过流和短路检测。www.kiaic.com/article/detail/4990.html 2024-05-30
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IGBT驱动电路保护设计（适用于MOS管）-KIA MOS管
IGBT是由一个N沟道的MOS管FET和一个PNP型GTR组成，以GTR为主导器件，MOS管为驱动器件。GiantTransistor-GTR电力晶体管。这也导致其性能上与MOS管有所差异。注意区域的划分与MOS管不一样，从其结构原理区理解，下图中1为截止区，2为线性区（退饱和区），3为饱和...www.kiaic.com/article/detail/4989.html 2024-05-30
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3006场效应管参数,3006mos管参数引脚图,120A 68V-KIA MOS管
KNX3006A是一款高坚固性的场效应管，漏源击穿电压68V，漏极电流120A，表现出优秀的性能；RDS（ON）=5.8mΩ（典型值）@VGS=10V，具有低栅极电荷（107nC），经过改进的dv/dt能力测试，表现出卓越的稳定性和可靠性，100%的雪崩测试，确保可靠性和耐久性。www.kiaic.com/article/detail/4988.html 2024-05-29
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MOS管驱动电路分享,加速MOS管关断-KIA MOS管
关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放，保证开关管能快速关断。为使栅源极间电容电压的快速泄放，常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管，如图所示，其中D1常用的是快恢复二极管。这使关断时间减小，同时减小关断时...www.kiaic.com/article/detail/4987.html 2024-05-29
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mos管并联二极管,mos管ds并联二极管-KIA MOS管
保护作用：当流过SD的电流过大时可以分流一部分；对于高速开关的场合，体二极管由于开通速度过慢，导致无法迅速开通，电流无法通过，进而损坏MOS，因此并联的二极管多为快恢复或肖特基。www.kiaic.com/article/detail/4986.html 2024-05-29
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3106场效应管参数,引脚图中文资料,3106MOS管现货-KIA MOS管
KNX3106N场效应管具有漏源击穿电压高达60V和漏极电流可达110A的强大特性，RDS（ON）在VGS为10V时表现出色，仅为7mΩ（典型值），表现出卓越的导通能力；采用了专有新型平面技术，能够实现快速切换，提高系统效率、经过100%雪崩测试，保证了器件的稳定性和可靠性...www.kiaic.com/article/detail/4985.html 2024-05-28
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势垒高度,势垒高度单位,势垒高度公式-KIA MOS管
势垒高度的计算公式为：qVD=Wm-Ws，其中q为电子电荷量，V为反向偏置电压，D为势垒宽度，Wm为多数载流子能量，Ws为少数载流子能量。www.kiaic.com/article/detail/4984.html 2024-05-28
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电容单位换算,电容的单位详解-KIA MOS管
电容是衡量电路中储存电荷能力的物理量，常用的单位有法拉（F），较小的单位有毫法拉（mF），微法拉（μF）和皮法拉（pF）。www.kiaic.com/article/detail/4983.html 2024-05-28
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2213场效应管,参数引脚图,2213MOS管中文资料-KIA MOS管
KCX2213A场效应管是一款具有高坚固性的SGT MOSFET技术产品，漏源击穿电压135V，漏极电流可达200A，表现出优秀的性能；RDS（ON）仅为2.9mΩ（典型值）@VGS=10V，具有低栅极电荷（151nC），经过改进的dv/dt能力测试，表现出卓越的稳定性和可靠性，100%的雪崩测试...www.kiaic.com/article/detail/4982.html 2024-05-27
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钳位电路原理,二极管经典钳位电路图-KIA MOS管
当输入口的电压小于等于GND-0.7时，二极管D1不导通，二极管D2导通，此时输出口的电压就会被钳位在GND-0.7，无论输入再小，输出也不会变。www.kiaic.com/article/detail/4981.html 2024-05-27