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输入整流部分:分析高压输入整流电路的具体参数,然后选取具体保险整流二极管的规格,因为我们的功率比较低,可以选取线绕电阻作为保险,用1N4007做整流管如果功率较大要选用其他耐流更高的整流二极管。
www.kiaic.com/article/detail/4980.html 2024-05-27
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KCX2920K场效应管是一款具有SGT MOSFET技术的优质器件,采用新型沟槽技术,漏源击穿电压200V,漏极电流130A,表现出色;RDS(ON)为9.8mΩ(典型值)@VGS=10V,在低栅极电荷情况下最小化开关损耗,快速恢复体二极管,能够在DC-DC转换器中发挥重要作用。
www.kiaic.com/article/detail/4979.html 2024-05-24
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开关降压电路-buck电路图开关闭合时,电源给电感和电容充电。开关断开时,电感作为电源给负载供电。
www.kiaic.com/article/detail/4978.html 2024-05-24
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在充电过程中,开关闭合(三极管导通),等效电路如图二,开关(三极管)处用导线代替。这时,输入电压流过电感。二极管防止电容对地放电。由于输入是直流电,所以电感上的电流以一定的比率线性增加,这个比率跟电感大小有关。随着电感电流增加,电感里储存了一...
www.kiaic.com/article/detail/4977.html 2024-05-24
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KNG3303C场效应管是一款性能优越的器件,漏源击穿电压30V,漏极电流90A,具有极低的导通电阻,RDS(ON)仅为2.6mΩ(typ.)@VGS=10V;在PWM应用和负载开关中表现出色,为电源管理提供了强大支持,还具有低Crss、快速切换、100%雪崩测试和改进的dv/dt能力,保证了稳...
www.kiaic.com/article/detail/4976.html 2024-05-23
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MOS电容的容量可以通过使用两个公式来计算,即C=εoA/d,其中C为电容值,εo为真空介电常数,A为极板的面积,d为极板之间的距离。
www.kiaic.com/article/detail/4975.html 2024-05-23
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交流输入:连接到整流桥的两个交流输入引脚。正直流输出:连接到整流桥的正直流输出引脚。负直流输出:连接到整流桥的负直流输出引脚。电源负极:连接到整流桥的负极,通常与负直流输出引脚相同。电源正极:连接到整流桥的正极,通常与正直流输出引脚相同。
www.kiaic.com/article/detail/4974.html 2024-05-23
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KIA7P03A功率场效应管采用先进的高密度沟槽技术,拥有优异的性能表现,电流能力为-7.5A,电压为-30V,典型的导通电阻RDS(ON)为18mΩ,在栅源电压为10V时;7P03场效应管具有超低的栅极电荷,可以在电路中发挥重要作用,还具有优良的CDV/dt效应递减,采用绿色环...
www.kiaic.com/article/detail/4973.html 2024-05-22
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MOS管热阻的计算公式:Rth = (Tj- Ta) / P。其中,Rth为MOS管的热阻,单位为°C/W;Tj为MOS管的结温,单位为°C;Ta为MOS管的环境温度,单位为°C;P为MOS管的功率损耗,单位为W。
www.kiaic.com/article/detail/4972.html 2024-05-22
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1、给mos管gs两端加上10V电压,导通mos管。2、给mos管DS通过1A电流,可使用带限流的电源,把限流调到1a,电压调到0.1V。3、用高精度万用表测量(六位半)测量MOS管DS端电压V。
www.kiaic.com/article/detail/4971.html 2024-05-22
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9435场效应管漏源击穿电压-30V,漏极电流-5.3A,RDS(开)=50mΩ(典型值)@VGS=-10V,超低栅极电荷,出色的Cdv/dt效应下降提升整体性能。9435mos管封装形式:SOP-8,散热效果良好,适用于各种应用场景。
www.kiaic.com/article/detail/4970.html 2024-05-21
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共源放大电路特点:电压增益高,反向放大,输入阻抗大。共漏放大电路特点:电压为1,同向放大,输入阻抗大,输出阻抗低(一般做阻抗变换用)。
www.kiaic.com/article/detail/4969.html 2024-05-21
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4节锂电池为14.8V,电流以最大1C的放电率来算为2.6A,功率理论可以做到38.48W(不包括损耗)。变压器按照14比230来绕,不过不能带动某些负载如电动机等等,开关电源可以。
www.kiaic.com/article/detail/4968.html 2024-05-21
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KIA4953场效应管具有出色性能,漏源击穿电压-30V,漏极电流-5.3A,表现出优异的电气特性;当Vgs为-10V时,其RDS(on)为54mΩ,而当Vgs为-4.5V时,其RDS(on)为84mΩ,显示出在不同工作条件下的电阻特性。
www.kiaic.com/article/detail/4967.html 2024-05-20