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继电器的线圈为感性负载,在通电和断电的瞬间,会产生反向电动势,通电时这个电动势与电源方向相同,上正下负,电源可以吸收绝大部分。
www.kiaic.com/article/detail/4966.html 2024-05-20
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驱动电流是指用于控制MOS管开关过程的电流。在MOS管的驱动过程中,需要将足够的电荷注入或抽出MOS管的栅极,以改变MOS管的导通状态。
www.kiaic.com/article/detail/4965.html 2024-05-20
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7306场效应管采用先进的高电池密度沟槽技术,漏源击穿电压60V,漏极电流22A,RDS(ON)= 5.5mΩ(典型值)@VGS =10V,表现出卓越的导通能力,超低栅极电荷,在工作时能够更加高效,优良的Cdv/dt效应下降,提升整体性能,封装形式:SOP-8,散热效果良好,使用安...
www.kiaic.com/article/detail/4964.html 2024-05-17
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由于每次寄生电容放电以及二极管的反向恢复电流会产生尖峰电流,现去掉二极管,并在MOS管栅极和源极接入电容C2和电阻R6,使得每次低电平来时,寄生电容放电给电容C2充电,以此削峰。
www.kiaic.com/article/detail/4963.html 2024-05-17
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当电路存在短路的时候流过MOS的电流很大在S极电阻两端产生的压降导致三极管由截止进入导通(当然导到什么程度具体跟MOS的跨导有关系),因此驱动电阻上面有压降,MOS进入放大区。
www.kiaic.com/article/detail/4962.html 2024-05-17
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KIA6706A场效应管漏源击穿电压60V,漏极电流18A,额定RDSON为7.5mΩ(在VGS=10V时),表现稳定可靠,具有超低的门电荷,在工作时能够更加高效,还具有Cdv/dt效应下降的特点,有助于减少电路中的不稳定因素,提升整体性能,KIA6706A是一款具有先进技术和优秀性能...
www.kiaic.com/article/detail/4961.html 2024-05-16
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采用MOS进行电流均流,当其中一路电流大于另一路MOS中的电流时,电流大的MOS产生的热量就会多,从而引起导通阻抗的增大,减小流过的电流。MOS管之间根据电流大小的不同来反复调节,最后可实现两个MOS管之间电流的均衡。
www.kiaic.com/article/detail/4960.html 2024-05-16
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一般情况下,MOS管的使用寿命可以达到十万小时以上,这是在70度以下的条件下测量的。然而,温度对MOS管的寿命有显著影响:当温度每升高10度,MOS管的寿命大约减少一半。这意味着在高温环境下,MOS管的寿命会显著缩短。
www.kiaic.com/article/detail/4959.html 2024-05-16
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KIA4706A场效应管采用先进的高单元密度沟槽技术,性能出色,漏源击穿电压60V,漏极电流8A,具有RDS(开)仅为10mΩ(在VGS=10V时的典型值),在应用中表现出超低的电阻,还具有超低的栅极电荷,在高频应用中表现出色,绿色环保设备具有更低的能耗和减少对环境的...
www.kiaic.com/article/detail/4958.html 2024-05-15
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这个电路加入了一个三极管Q2来辅助Cgs寄生电容的泄放电荷,可以大大缩短MOS的关断时间。其原理是当MOS要关断瞬间,Cgs寄生电容电压是电源电压,三极管的e极连接的是Cgs寄生电容的负极,三极管的b极经R10连接Cgs寄生电容的正极为高电平,所以三极管Q2导通,形成...
www.kiaic.com/article/detail/4957.html 2024-05-15
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当负载电流Iout增加时,采样电阻1Ω上的电压V1增加,从而运算放大器反相输入端电压Vn增加;从而导致同相输入端Vp和反相输入端Vn之间的差值减小,然后运算放大器输出端Vout电压减小(即MOS管的驱动电压降低),从而MOS管等效电阻变大(该电路中MOS等效为可变电阻...
www.kiaic.com/article/detail/4956.html 2024-05-15
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功率开关管符号是K。功率开关管是指能承受较大电流,漏电流较小,在一定条件下有较好饱和导通及截止特性的三极管,可不太考虑其放大性能,其控制极与基极电流大小或方向有关电流经集电极和发射极,方向具体要看是NPN还是PNP管。
www.kiaic.com/article/detail/4954.html 2024-05-14
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P型半导体是通过掺杂三价元素(如硼)形成的,其中空穴(多子)为主要载流子,因此P型半导体中空穴的浓度较高。P型半导体的特点是具有较高的空穴浓度,使其在电导性上表现为正电性。
www.kiaic.com/article/detail/4953.html 2024-05-14
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KIA3423采用先进的沟槽技术,漏源击穿电压-20V,漏极电流-2.0A,提供出色的RDS(导通)、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作,能够减少功耗,提高效率。3423场效应管适合用作负载开关或PWM应用。标准产品KIA3423不含铅(符合ROHS和Sony 259规范),是绿色产品...
www.kiaic.com/article/detail/4952.html 2024-05-13