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首先看管子有无裂纹,其次看绝缘层是否完整,优质的MOS管应该具有光滑平整的表面,无裂纹、崩坑、划痕等缺陷;同时,应该注意检查MOS管的引脚是否松动或脱落,引线的焊接点有无脱焊虚焊等缺陷,以及外壳是否完好无损。
www.kiaic.com/article/detail/4715.html 2024-01-10
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KNX3208A场效应管漏源击穿电压85V,漏极电流100A,RDS(ON),typ.=6.5mΩ@VGS=10V,采用专有新沟槽技术,具有低门电荷减小开关损耗、快恢复体二极管等特性,能够替代145N08、055N08、063N08型号进行使用,封装形式:TO-252、TO-263、TO-220、TO-3P,多种封装形式...
www.kiaic.com/article/detail/4714.html 2024-01-09
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第一种NMOS管为高电平导通,低电平截断,Drain端接后面电路的接地端;第二种为PMOS管典型开关电路,为高电平断开,低电平导通,Drain端接后面电路的VCC端。
www.kiaic.com/article/detail/4713.html 2024-01-09
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LM567是一种解码集成电路,其内部结构如下图1所示。LM567内部包含了两个鉴相器、放大器、电压控制振荡器VCO等单元。
www.kiaic.com/article/detail/4712.html 2024-01-09
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KNX3206A场效应管漏源击穿电压60V,漏极电流110A,RDS(ON)=6.5mΩ(典型值)@VGS=10V,低RDS(ON)以最大限度地减少导电损耗,能够替代irf3205以及80nf70型号进行使用,用于快速开关应用的低栅极电荷,优化的BVDSS能力。封装形式:TO-252、TO-263、TO-220、T...
www.kiaic.com/article/detail/4711.html 2024-01-08
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去耦电路指的是在多级放大电路(集成电路芯片内部大多也是由各种多级放大电路组成)的供电电源端对地所加的旁路电容。其容量大可到几十、上百微法 ,小也要0.1,0. 01微法。
www.kiaic.com/article/detail/4710.html 2024-01-08
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去耦电容法是常用的电路去耦合方法。它主要是通过添加去耦电容,将交流信号分离开来,从而达到抑制噪声和干扰的效果。去耦电容一般安装在信号源和放大器之间,在信号源输入端和输出端分别添加一个电容,可以有效抑制信号源与放大器之间的干扰。
www.kiaic.com/article/detail/4709.html 2024-01-08
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KIA2803A场效应管采用沟槽加工工艺设计,实现极低的导通电阻,漏源击穿电压30V,漏极电流150A,RDS(on)=2.2mΩ@VGS=10V,提供低栅极电荷的优异RDS(ON),KIA2803A能够替代nce30h15k型号进行使用,封装形式:TO-220,TO-263。
www.kiaic.com/article/detail/4705.html 2024-01-08
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KNX3306B场效应管漏源击穿电压68V,漏极电流80A,RDS(on)=7mΩ@VGS=10V,低Rds开启,最大限度地减少导电损耗,能够替代stp60nf06型号进行使用,开关速度快,内阻低,耐冲击特性好。封装形式:TO-252,TO-263。
www.kiaic.com/article/detail/4708.html 2024-01-05
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电阻(Resistor):阻碍电流通过的器件;用于控制电流和电压,实现电路的分压和限流。电阻是电路中常用的一种元器件,用于限制电流,并将电能转化为热能。常见的电阻有固定电阻和可变电阻两种。
www.kiaic.com/article/detail/4707.html 2024-01-05
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OTL电路是一种无输出变压器的电路方案,它直接将放大器的输出连接到负载,没有输出电容耦合器。由于没有输出变压器或电容,OTL电路通常可以提供更好的频率响应和较低的失真。
www.kiaic.com/article/detail/4706.html 2024-01-05
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78M05是一种广泛用于电子电路里的三端正向固定电压稳压器。具有在过流过热时关断的保护功能,输出电流高达0.5A,5V、6V、8V、9V和12V的固定输出电压,输入偏置电流为3.2mA,输入电压的最大值为35V。
www.kiaic.com/article/detail/4704.html 2024-01-04
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74LS04是数字控制开关芯片,一种六通道反相器(inverter)芯片,74LS04芯片的内部结构由多个晶体管和电容器组成。每个反相器的内部结构包括两个输入端、两个晶体管、两个负载电阻和一个输出端。当输入为低电平或者高电平时,晶体管中的电流流向不同的方向,从而...
www.kiaic.com/article/detail/4703.html 2024-01-04
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KND3203B场效应管采用CRM(CQ)先进沟槽MOS技术,漏源击穿电压30V,漏极电流100A,RDS(on)=3.1mΩ@VGS=10V,提供低栅极电荷的优异RDS(ON),能够替代30h10k型号进行使用,封装形式:TO-252,在锂电池保护板、小功率LED等领域热销,高效率低损耗。
www.kiaic.com/article/detail/4702.html 2024-01-03