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更高的过电压安全裕度提高了所有负载条件下的效率与硅二极管替代品相比提高了效率降低散热器要求
www.kiaic.com/article/detail/4372.html 2023-07-20
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吸收电路的电容选型,如下图所示,在开关电源中,在MOS管或二极管上并联电容吸收尖峰是很常见的电路,那么这颗电容该如何去选择呢?
www.kiaic.com/article/detail/4371.html 2023-07-20
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在保证功率MOS管的温升和系统效率的前提下,选取参数和封装更通用的功率MOS管。
www.kiaic.com/article/detail/4370.html 2023-07-20
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KIA设计生产的超结场效应管用先进的耐压原理和优化的设计结构,全新600~900V系列产品为系统应用提供充足的耐压余量,简化系统设计难度,提高系统可靠性,满足客户对高耐压、低导通内阻和高效超结MOSFET的需求。
www.kiaic.com/article/detail/4369.html 2023-07-19
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放大器的建立时间是当运输入为阶跃信号时,运放的输出响应进入并保持在规定误差带所需的时间。
www.kiaic.com/article/detail/4368.html 2023-07-19
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大致可以根据防反接保护器件分为电阻,二极管,电阻||二极管,NMOS 和 PMOS 几种类型,而根据防反接保护电路的位置,又可以分为 VCC 端和 GND 端。
www.kiaic.com/article/detail/4367.html 2023-07-19
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超结MOS管KCX6265A是使用KIA半导体先进的超级结技术生产的。这种先进的技术经过特别定制,可以最大限度地减少导通损耗,提供卓越的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合于开关模式操作中的AC/DC功率转换,以获得更高的效率。
www.kiaic.com/article/detail/4366.html 2023-07-18
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PMOS的高边防反接使用自驱效应,但其存在待机电流偏大和电流反灌隐患,并且PMOS价格偏高,几乎没有使用驱动IC+PMOS高边防反这种设计,所以为了均衡价格因素和Rdson,消除待机电流偏大和电流反灌隐患(若单纯使用高边NMOS,也会有待机电流和电流反灌问题),使用...
www.kiaic.com/article/detail/4365.html 2023-07-18
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高压的功率 MOSFET 通常采用平面型结构,其中,厚的低掺杂的 N-的外延层,即 epi 层,用来保证具有足够的击穿电压,低掺杂的 N-的 epi 层的尺寸越厚,耐压的额定值越大,但是其导通电阻也急剧的增大。
www.kiaic.com/article/detail/4363.html 2023-07-18
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这种功率MOSFET是使用KIA半导体先进的超级结技术生产的。这种先进的技术经过特别定制,可以最大限度地减少导通损耗,提供卓越的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合于开关模式操作中的AC/DC功率转换,以获得更高的效率。
www.kiaic.com/article/detail/4362.html 2023-07-17
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boost电路中,二极管和电感的平均电流的区别在于,当 mosfet 开启时,二极管中的电流为 0,电感电流线性增大;当 mosfet 关断时,二极管与电感串联,二者电流相等。
www.kiaic.com/article/detail/4361.html 2023-07-17
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输入偏置电流会流过外面的电阻网络,从而转化成运放的失调电压,再经运放话后就到了运入的输出端,造成了运放的输入误差。
www.kiaic.com/article/detail/4360.html 2023-07-17
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KIA60R380功率MOSFET采用KIA先进的超级结技术生产。该先进技术经过特别定制,可最大限度地减少导通损耗,提供卓越的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合于开关模式操作中的AC/DC功率转换,以获得更高的效率。
www.kiaic.com/article/detail/4359.html 2023-07-14
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运放的输入偏置电流 Ib 和输入失调电流 Ios,众说周知,理想运放是没有输入偏置电流 Ib 和输入失调电流 Ios 的。但每一颗实际运放都会有输入偏置电流 Ib 和输入失调电流 Ios,我们可以用图 1 中的模型来说明它们的定义。
www.kiaic.com/article/detail/4358.html 2023-07-14