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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5172 个

  • 电压跟随电路,电压跟随器详解及应用-KIA MOS管

    输出电压的反馈直接接到反相输入端,反相输入端不再接地,如图所示,电路引进了电压串联负反馈,且反馈系数是1,得到输出电压uO和输入电压uI的关系为:uO=uI。

    www.kiaic.com/article/detail/4413.html         2023-08-09

  • 【电路分享】电源入口欠压保护电路图-KIA MOS管

    用一个6V的稳压二极管和NPN三极管构成控制MOS管门级的开关电路,大于6V击穿二极管,构成通路,去开启三极管,拉低PMOS管控制脚门级,从而使MOS管导通,小于6V则关闭三极管,截断通路,从而使MOS不导通。

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    www.kiaic.com/article/detail/4412.html         2023-08-09

  • KIA78L05FS SOT89 三端稳压管 PDF图文 原厂免费送样-KIA MOS管

    KIA78L05FS SOT89 三端稳压管-特性最大输出电流:0.2输出电压:5 v内部热过载保护内部短路电流限制

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    www.kiaic.com/article/detail/3339.html         2023-08-08

  • 18n50场效应管参数代换 18n50规格书 引脚-KIA MOS管

    KIA半导体这款18N50H是N沟道增强型硅栅功率MOSFET是为高功率器件设计,广泛应用于开关电源、DC-AC电源转换器,DC-DC电源转换器,紫外线灯电子镇流器等产品中。

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    www.kiaic.com/article/detail/4411.html         2023-08-08

  • 74ls48引脚图,真值表,电路图,74ls48资料-KIA MOS管

    74LS48由多个逻辑门和锁存器组成。它包含了4个输入缓冲器(用于输入BCD码),1个锁存器(用于锁存数据),以及4个输出驱动器(用于驱动七段LED显示器)。这些组件结合在一起,实现了从BCD码到七段LED显示器的转换。

    www.kiaic.com/article/detail/4410.html         2023-08-08

  • 电流检测电路介绍,电流检测方法优缺点-KIA MOS管

    对于大部分应用,都是通过间接测量电阻两端的压降来获取待测电路电流大小的,如下图所示。在要求不高的情况下,电流检测电路可以通过运放放大转换成电压,反推算负载的电流大小。

    www.kiaic.com/article/detail/4409.html         2023-08-08

  • 电容降压式电源电路图,简单实用-KIA MOS管

    这一类的电路通常用于低成本取得非隔离的小电流电源。它的输出电压通常可在几伏到三几十伏,取决于所使用的齐纳稳压管。所能提供的电流大小正比于限流电容容量。

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    www.kiaic.com/article/detail/4408.html         2023-08-07

  • 降压电路-简单直流降压电路图分析-KIA MOS管

    降压变换器原理图如图1所示,当开关闭合时,加在电感两端的电压为(Vi-Vo),此时电感由电压(Vi-Vo)励磁,电感增加的磁通为:(Vi-Vo)*Ton。

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    www.kiaic.com/article/detail/4407.html         2023-08-07

  • ​m7二极管参数,整流二极管M7解析-KIA MOS管

    m7二极管,其尺寸都是46MIL,是一小电流、贴片二极管。M7的浪涌电流Ifsm为30A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。M7采用GPP芯片材质,里面有1颗芯片组成。M7的电性参数是:正向电流(Io)为1A,反向耐压为1000V,正向电压(VF)为1.1V,其中有...

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    www.kiaic.com/article/detail/4406.html         2023-08-07

  • 65r300s参数及代换 65r300高压MOS管650V超结-KIA MOS管

    KIA65r300功率MOSFET是使用KIASemi先进的超级结技术生产的。这项先进的技术经过专门定制,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度等提供卓越的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。

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    www.kiaic.com/article/detail/4405.html         2023-08-04

  • 集成电源开关:集成负载开关选型及设计要点-KIA MOS管

    在NMOS器件中,通过使栅极电压高于源极电压来使导通FET接通。通常,源极电压与VIN端子处于相同电势。要使栅极和源极间产生上述电压差,需要一个电荷泵。使用电荷泵将增大器件的静态电流。

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    www.kiaic.com/article/detail/4404.html         2023-08-04

  • 开关电源:PMOS、NMOS​分立负载开关电路-KIA MOS管

    负载开关是用于开启和关闭系统中的电源轨的电子继电器。在很多电路中,一个电源可能对应多个负载,有时候要切换负载的供电,有时候要对负载进行限流,通常的方法可以用PMIC去操作不同的负载,也可以使用负载开关去操作。

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    www.kiaic.com/article/detail/4403.html         2023-08-04

  • 65R190代换 65R190场效应管参数 650V储能电源应用-KIA MOS管

    KIA65R190这种功率MOSFET是使用KIA半导体Semi先进的超级结技术生产的。这项先进的技术经过专门定制,可最大限度地减少传导损耗,提供卓越的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些设备非常适合开关模式操作中的AC/DC功率转换,以获得更高的效率。作...

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    www.kiaic.com/article/detail/4402.html         2023-08-03

  • 防反接保护电路:VCC端、GND端串入二极管-KIA MOS管

    肖特基二极管具有较小的前向电压,因此VCC端串入肖特基二极管,也是一种防反接的方法。

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    www.kiaic.com/article/detail/4401.html         2023-08-03

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