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TVS管击穿电压和钳位电压的关系区别-KIA MOS管
反向击穿电压VBR（Reverse breakdown voltage）VBR是通过TVS二极管的反向电压是指TVS保护二极管开启时的电压，从此点开始器件进入雪崩击穿。是在测试的电流IT下测得的。www.kiaic.com/article/detail/4386.html 2023-07-27
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TVS管电路符号-工作原理-参数-选型注意-KIA MOS管
TVS管的名称为Transient Voltage Suppressor，中文又叫做瞬态电压抑制器，或者还可以叫它为雪崩击穿二极管，这是一种用于保护电子设备免受瞬态过电压和电流冲击的半导体保护器件。它的主要功能是在电路中快速响应和抑制瞬态电压，防止电压对电子设备造成损坏。...www.kiaic.com/article/detail/4385.html 2023-07-27
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1200V MOS管KIA10N120V1、KIA20N120V1碳化硅场效应管-KIA MOS管
KIA10N120V参数： ID(A): 10 BVDSS(V): 1200 RDS(ON): - Qg(nC): - Package: TO-220、TO-220F、TO-247、TO-3Pwww.kiaic.com/article/detail/4384.html 2023-07-26
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PIN二极管介绍-PIN光电二极管结构及原理-KIA MOS管
光电二极管是反向偏置工作的PN结二极管，DVD播放器，CD驱动器中经常会使用到它。PIN型光电二极管也称PIN结二极管、PIN二极管，在两种半导体之间的 PN结，或者半导体与金属之间的结的邻近区域，在P区与N区之间生成I型层，吸收光辐射而产生光电流的一种光检测器。...www.kiaic.com/article/detail/4383.html 2023-07-26
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PN结与PIN结的区别及PIN结二极管结构-KIA MOS管
在P和N半导体材料之间加入一薄层低掺杂的本征(Intrinsic)半导体层，组成的这种P-I-N结构的二极管就是PIN二极管，正因为有本征(Intrinsic)层的存在，PIN二极管应用很广泛，从低频到高频的应用都有，主要用在RF领域，用作RF开关和RF保护电路，也有用作光电二极管...www.kiaic.com/article/detail/4382.html 2023-07-26
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650v碳化硅二极管SSP10065A资料 TO-220-2 原厂直销-KIA MOS管
650v碳化硅二极管SSP10065A-优势：更高的过电压安全裕度；提高了所有负载条件下的效率；与硅二极管替代品相比提高了效率；降低散热器要求；无热失控的并联器件；基本无开关损耗www.kiaic.com/article/detail/4381.html 2023-07-25
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什么是寄生效应？功率级寄生效应详解-KIA MOS管
寄生效应：就是本来没有在那个地方设计电容或电感甚至电阻，然而因为某些因素如结构之间、PCB布线、管脚引线、通孔质量、焊盘到地距离、焊盘到电源平面距离、和焊盘到印制线之间、材料差异、器件封装、封装引脚和印制线过长等，特别是在高速电路中而表现出来的...www.kiaic.com/article/detail/4380.html 2023-07-25
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ldo和dcdc的原理及选型标准介绍-KIA MOS管
DC/DC电源指直流转换为直流的电源，从这个定义上看，LDO(低压差线性稳压器)芯片也应该属于DC/DC电源，但一般只将直流变换到直流，且这种转换是通过开关方式实现的电源称为DC/DC电源。www.kiaic.com/article/detail/4379.html 2023-07-25
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共射、共基放大电路频率特性差异原因分析-KIA MOS管
根据上图所示，三极管的输入电容 Ci 与基极寄生电阻 rb 形成低通滤波器，其中，输入电容 Ci 是(1 + Av)倍的 Cbc 和 Cbe 之和。因此，在高频范围，共射放大电路的放大倍数必然下降。www.kiaic.com/article/detail/4378.html 2023-07-24
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共集基本放大电路的特性仿真分析-KIA MOS管
从以上的仿真结果可以看出，静态参数基本一致的共射、共基和共集放大电路相比，共集放大电路的上限截止频率比共射和共基均高很多，说明共集放大电路的高频特性好。www.kiaic.com/article/detail/4377.html 2023-07-24
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共基放大电路特性的仿真分析图解-KIA MOS管
从以上的仿真结果可以看出，参数基本一致的共射和共基放大电路，电压放大倍数相当，但是共基放大电路的上限截止频率比共射高很多。说明共基放大电路的高频特性好，这也是共基放大电路常用于高频振荡电路中的原因。www.kiaic.com/article/detail/4376.html 2023-07-24
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08065A碳化硅二极管650V SSP08065A原厂现货送样-KIA MOS管
碳化硅二极管650V SSP08065A-优势更高的过电压安全裕度提高了所有负载条件下的效率与硅二极管替代品相比提高了效率www.kiaic.com/article/detail/4375.html 2023-07-21
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通过仿真分析共射基本放大电路的特性-KIA MOS管
能够稳定静态工作点的共射放大电路如图 1 所示，也称为分压式偏置阻容耦合共射放大电路。 射极偏置电阻 Re 具有直流负反馈作用，可以稳定静态工作点。www.kiaic.com/article/detail/4374.html 2023-07-21
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二极管的正向导通、反向截止等效电路-KIA MOS管
二极管正向导通时可用一电压降等效，该电压与温度和所流过的电流有关，温度升高，该电压变小；电流增加，该电压增加。www.kiaic.com/article/detail/4373.html 2023-07-21