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如图所示,Q9 栅极(G)通过100k电阻上拉到12V,源级(S)直接连接至12V电源侧,漏极(D)连接到被控设备,被控设备两端并联二极管,用于关断设备后,释放被控设备上的能量。
www.kiaic.com/article/detail/4301.html 2023-06-16
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1、Ib大约为1mA左右2、Vbe>0.7V(因此设计时,需保证Vbe>0.7V,这个是导通条件);但三极管导通时Vbe= 0.7V左右
www.kiaic.com/article/detail/4300.html 2023-06-15
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压控:是指电压作为控制信号,理想状态下,对于MOS只要VGS的电压满足开启要求(Vth),MOS管就导通
www.kiaic.com/article/detail/4299.html 2023-06-15
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NMOS当下管,即S极(源极)直接接地,只需控制G极(栅极)电压即可控制NMOS管的导通或截止,因为MOS管导通的条件取决于VGS的压差。
www.kiaic.com/article/detail/4298.html 2023-06-15
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KIA半导体生产的KIA740H热销于逆变器后级电路应用中,优质高效;KIA740H N沟道增强型硅栅极功率MOSFET专为高压、高速功率开关应用而设计,如开关稳压器、开关转换器、螺线管、电机驱动器、继电器驱动器。
www.kiaic.com/article/detail/4297.html 2023-06-14
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充电开始时,应先检测待充电电池的电压,如果电压低于3V,要先进行预充电,充电电流为设定电流 的1/10,一般选0.05C左右。电压升到3V后,进入标准充电过程。
www.kiaic.com/article/detail/4296.html 2023-06-14
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普遍来说,最高效的方式开始都是恒流充电(充电速度较快),然后是恒压充电(充电速度下来了,因为电池本身的电压上去了),最后是涓流充电(在充满电后,补偿因自放电而造成的容量损失)。
www.kiaic.com/article/detail/4295.html 2023-06-14
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KNH8150A 30A 500V产品特征先进的平面加工技术RDS(ON),typ.=150mΩ@VGS=10V低栅极电荷使开关损耗最小化坚固的多晶硅栅极工艺
www.kiaic.com/article/detail/4294.html 2023-06-13
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1.如果使用过温保护功能R3为悬空(不焊接)状态。同时需要把RNTC以及R4焊接上。2.如果不使用过温保护,R3接入1k左右电阻,同时RNTC、R4为悬空状态。
www.kiaic.com/article/detail/4293.html 2023-06-13
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U相N下管:mcu的5v管脚控制导通,0控制关断。U相N上管:在U相下管导通的时候,U相对应的自举电路电容是在充电的,此时UGH的控制脚UH为1,将UGH拉在GND上,保证上管关断。
www.kiaic.com/article/detail/4292.html 2023-06-13
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当VCC有效时,PMOS的体二极管率先导通,随后S极的电压由先前的0V变成了(VCC-0.7),此时Vgs = 0 -(VCC-0.7)= -VCC+0.7。
www.kiaic.com/article/detail/4291.html 2023-06-12
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当KEY输出为低电平时,Q1的栅源电压Vgs=0,Q1不导通。因为Q1不导通,所以Q2的栅源之间电压相等,所以Q2也不导通,所示VOUT没有输出。
www.kiaic.com/article/detail/4290.html 2023-06-12
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背靠背MOS驱动,S极背靠背,可以看到它是外置MOS,可以根据需求选择MOS,提高系统的带载能力。
www.kiaic.com/article/detail/4289.html 2023-06-12
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KIA16N50 功率MOSFET是使用KIA先进的平面条纹DMOS技术生产的。这种先进的技术经过特别定制,可以最大限度地减少导通电阻,提供卓越的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适用于基于半桥拓扑的高效开关电源、有源功率因数校正。
www.kiaic.com/article/detail/4288.html 2023-06-09