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PFM模式,pfm开关电源,开关电源控制模式-KIA MOS管
PFM开关电源，是一种脉冲调制技术，调制信号的频率随输入信号幅值而变化，其占空比不变。由于调制信号通常为频率变化的方波信号，因此，PFM也叫做方波FM。固定导通/关断时间：PFM模式下，功率开关的导通时间（Ton）或关断时间（Toff）通常固定，通过改变开关频...www.kiaic.com/article/detail/6054.html 2025-11-24
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to252封装,to252封装尺寸图分享-KIA MOS管
TO252（D-PAK）是一种金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的表面贴装型封装，这种封装具有较好的散热性能和机械稳定性，尺寸相对较小，适合在高密度电路板上使用。www.kiaic.com/article/detail/6053.html 2025-11-24
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MOS管TO封装-MOS管TO系列封装引脚图、封装尺寸及外观图-KIA MOS管
文中将会介绍TO封装系列的封装尺寸及外观图，MOSFET芯片在制作完成之后,需要给MOSFET芯片加上一个外壳,即MOS管封装。MOSFET芯片的外壳具有支撑、保护、冷却的作用,同时还为芯片提供电气连接和隔离,以便MOSFET器件与其它元件构成完整的电路。按照安装在PCB 方式...www.kiaic.com/article/detail/1496.html 2025-11-24
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TO-3P封装MOS管型号-封装尺寸与MOS管原厂推荐-KIA MOS管
TO-3P封装尺寸与外观，TO-3P封装型号表大全。KIA半导体提供这种封装的中、高、低MOS管，价格合理、并且免费提供送样，欢迎您的咨询！www.kiaic.com/article/detail/1391.html 2025-11-24
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bms电池管理mos,60v50a,to220,KNP3706A场效应管-KIA MOS管
KNP3706A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流50A，采用先进的高密度沟槽技术制造，为多数同步降压转换器应用提供优异的RDS（导通）和栅极电荷性能；具有极低导通电阻RDS(开启) 9mΩ，最大限度地减少导电损耗，超低栅极电荷，开关速度快，高效低耗；100%EAS认证、...www.kiaic.com/article/detail/6052.html 2025-11-21
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sod323封装尺寸图,sod323封装-KIA MOS管
SOD-323封装是一种常见的小功率表面贴装封装，具有高耐压能力、尺寸小、体积小、引脚间距精确、耐用性能好等特点。SOD-323封装的标准尺寸为长度约1.7-1.9mm、宽度约1.25-1.45mm、高度约0.9-1.0mm。www.kiaic.com/article/detail/6051.html 2025-11-21
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led闪烁电路图,电路工作原理分享-KIA MOS管
该电路是使用两个NPN三极管及电容充放电的原理实现LED1和LED2交替闪烁，若只需1个或1组LED时，可将LED2使用电阻代替即可。此电路属于多谐振荡电路，两个三极管一个管子导通时，另一个截止，通过容阻耦合使两个管子交替导通与截止，从而产生自激振荡。www.kiaic.com/article/detail/6050.html 2025-11-21
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电动车控制器mos,80v80a场效应管,KNP3308A参数引脚图-KIA MOS管
KNP3308A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流80A，极低的导通电阻RDS(开启) 6.2mΩ，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；具有高雪崩电流，能够在额定工作条件下稳定运行，确保电路的安全可靠性，高效稳定；采用无铅和绿色设计，符合环保要求，广泛应用在电动车控...www.kiaic.com/article/detail/6049.html 2025-11-20
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led节能灯电路,led电路原理图分享-KIA MOS管
在电路中，R1作为保护电阻，R2是电容C1的卸放电阻，而R3限流电阻则用于防止电压和温度升高时LED电流过大。C2滤波电容的作用是在开灯瞬间吸收冲击电流，保护LED不受损伤。由于C1的存在，开灯时会有一个较大的充电电流，但有了C2的介入，该电流被完全吸收，从而起...www.kiaic.com/article/detail/6048.html 2025-11-20
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UPS电源类型,UPS结构原理图-KIA MOS管
在线式UPS也被称为双变换器UPS或真正的UPS。它在输入电力通过整流器将交流电转换为直流电后，直接将其用于给电池充电和供电。同时，它通过逆变器将直流电再转换为交流电，为连接的设备提供稳定的电力。www.kiaic.com/article/detail/6047.html 2025-11-20
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逆变mos管,60v150a mos,to220,KNP2706A场效应管参数-KIA MOS管
KNP2706A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流150A，?极低导通电阻RDS(开启) 2.8mΩ，最大限度地减少导电损耗、低栅极电荷，高效低耗，快速开关切换，性能优越；?具有?高坚固性、100%经雪崩测试、改进的dv/dt能力，稳定可靠；适用于PWM应用、负载开关、电源管...www.kiaic.com/article/detail/6046.html 2025-11-19
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逻辑电路功能详解,逻辑功能有哪些?-KIA MOS管
基本的逻辑门电路包括与门、或门、非门、与非门、或非门、异或门和同或门。?逻辑与（AND）功能?：当所有输入均为高电平（逻辑1）时，输出才为高电平（逻辑1），否则输出低电平（逻辑0）。www.kiaic.com/article/detail/6045.html 2025-11-19
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逻辑电路符号,逻辑门符号图分享-KIA MOS管
逻辑电路符号是用于表示数字电路中基本逻辑关系和运算的标准化图形符号，以直观的方式描述输入与输出之间的逻辑功能。基本逻辑门符号1.与门（AND）：符号通常为输入端分叉、输出端合并的图形。功能是仅当所有输入均为高电平（逻辑1）时，输出才为高电平；逻辑表...www.kiaic.com/article/detail/6044.html 2025-11-19
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无刷电机mos,80v190a,2408场效应管,KNP2408A参数-KIA MOS管
KNP2408A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流190A，采用先进的沟槽技术制造，高密度电池设计?，提供优异的RDS（ON），低栅极电荷，高效低耗；极?低导通电阻RDS(on) 3.7mΩ，能够最大限度地减少导电损耗；具有完全表征的雪崩电压和电流、稳定性和均匀性好，EAS...www.kiaic.com/article/detail/6043.html 2025-11-18